LAMINATED ELEMENT MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: KONDOH Yuta, SAKAMOTO Takeshi, UCHIYAMA Naoki, SUGIURA Ryuji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 31.01.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLDERING OR UNSOLDERING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

This laminated element manufacturing method comprises: a first forming step for forming a first gettering region for each functional element by irradiating a semiconductor substrate of a first wafer with a laser beam; a first polishing step for removing a portion of the first gettering region by polishing the semiconductor substrate of the first wafer; a bonding step for bonding a circuit layer of a second wafer to the semiconductor substrate of the first wafer; a second forming step for forming a second gettering region for each functional element by irradiating a semiconductor substrate of the second wafer with a laser beam; and a second polishing step for removing a portion of the second gettering region by polishing the semiconductor substrate of the second wafer. L'invention concerne un procédé de fabrication d'élément stratifié comprenant : une première étape de formation pour former une première région d'absorption de gaz pour chaque élément fonctionnel par irradiation d'un substrat semi-conducteur d'une première tranche avec un faisceau laser; une première étape de polissage pour retirer une partie de la première région d'absorption de gaz par polissage du substrat semi-conducteur de la première tranche; une étape de liaison pour lier une couche de circuit d'une seconde tranche au substrat semi-conducteur de la première tranche; une seconde étape de formation pour former une seconde région d'absorption de gaz pour chaque élément fonctionnel par irradiation d'un substrat semi-conducteur de la seconde tranche avec un faisceau laser; et une seconde étape de polissage pour retirer une partie de la seconde région d'absorption de gaz par polissage du substrat semi-conducteur de la seconde tranche. 積層型素子の製造方法は、第１ウェハの半導体基板に対して、レーザ光を照射することにより、機能素子ごとに第１ゲッタリング領域を形成する第１形成工程と、第１ウェハの半導体基板を研削し、第１ゲッタリング領域の一部を除去する第１研削工程と、第１ウェハの半導体基板に第２ウェハの回路層を接合する接合工程と、第２ウェハの半導体基板に対して、レーザ光を照射することにより、機能素子ごとに第２ゲッタリング領域を形成する第２形成工程と、第２ウェハの半導体基板を研削し、第２ゲッタリング領域の一部を除去する第２研削工程と、を備える。