PLASMA TREATMENT DEVICE

• Main Authors: SASAMOTO, Hiroshi, TSUCHIYA, Nobuaki, SEKIYA, Kazunari, SATO, Tatsunori, INOUE, Tadashi, TANABE, Masaharu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.01.2019
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A plasma treatment device, provided with: a balun having a first unbalanced terminal, a second unbalanced terminal, a first balanced terminal, and a second balanced terminal; a grounded vacuum container; a first electrode electrically connected to the first balanced terminal; a second electrode electrically connected to the second balanced terminal; an impedance matching circuit; a first power supply connected to the balun through the impedance matching circuit, the first power supply supplying high-frequency waves through the impedance matching circuit and the balun; a low-pass filter; and a second power supply for supplying a voltage to the first electrode through the low-pass filter. La présente invention concerne un dispositif de traitement par plasma, comprenant : un symétriseur pourvu de première et second bornes non équilibrées, et de première et seconde bornes équilibrées ; un contenant sous vide mis à la terre ; une première électrode connectée électriquement à la première borne équilibrée ; une seconde électrode connectée électriquement à la seconde borne équilibrée ; un circuit d'adaptation d'impédance ; une première alimentation électrique connectée au symétriseur par l'intermédiaire du circuit d'adaptation d'impédance, la première alimentation électrique fournissant des ondes haute fréquence par l'intermédiaire du circuit d'adaptation d'impédance et du symétriseur ; un filtre passe-bas ; et une seconde alimentation électrique destinée à appliquer une tension à la première électrode par l'intermédiaire du filtre passe-bas. プラズマ処理装置は、第１不平衡端子、第２不平衡端子、第１平衡端子および第２平衡端子を有するバランと、接地された真空容器と、前記第１平衡端子に電気的に接続された第１電極と、前記第２平衡端子に電気的に接続された第２電極と、インピーダンス整合回路と、前記インピーダンス整合回路を介して前記バランに接続され、前記インピーダンス整合回路および前記バランを介して前記第１電極に高周波を供給する第１電源と、ローパスフィルタと、前記ローパスフィルタを介して前記第１電極に電圧を供給する第２電源と、を備える。