ENHANCED MATERIALS PROCESSING FOR MAGNETO-ELECTRIC SPIN LOGIC DEVICES

Embodiments are generally directed to enhanced materials processing for magneto-electric spin orbit (MESO) devices. An embodiment of an apparatus includes a first transistor and a second transistor, each transistor including a gate electrode, a first junction region, and a second junction region; a...

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Main Authors MANIPATRUNI, Sasikanth, NIKONOV, Dmitri E, LIN, Chia-Ching, CHAWLA, Jasmeet S, YOUNG, Ian A
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 27.12.2018
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Summary:Embodiments are generally directed to enhanced materials processing for magneto-electric spin orbit (MESO) devices. An embodiment of an apparatus includes a first transistor and a second transistor, each transistor including a gate electrode, a first junction region, and a second junction region; a set of lines including alternating ferromagnetic material lines and non-magnetic metal interconnect lines fabricated in a wafer, the plurality of lines including metal interconnect lines to provide connections for the junction regions of the first and second transistors, including connections to provide power and control; and a MESO device including a first magnet and a second magnet, the set of lines including ferromagnetic material lines for fabrication of the MESO device magnets. Certains modes de réalisation de l'invention concernent d'une manière générale le traitement de matériaux amélioré destiné à des dispositifs à logique spin-orbite magnéto-électrique (MESO). Un mode de réalisation d'un appareil comprend : des premier et second transistors, chaque transistor comprenant une électrode grille, une première région de jonction et une seconde région de jonction ; un ensemble de lignes comprenant des lignes de matériau ferromagnétique et des lignes d'interconnexion métalliques non magnétiques alternées fabriquées dans une tranche, la pluralité de lignes comprenant des lignes d'interconnexion métalliques de façon à assurer des connexions des régions de jonction des premier et second transistors, notamment des connexions destinées à fournir une puissance et une commande ; et un dispositif MESO comprenant des premier et second aimants, l'ensemble de lignes comprenant des lignes de matériau ferromagnétique en vue de la fabrication des aimants de dispositif MESO.
Bibliography:Application Number: WO2017US38507