TAPE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING

• Main Authors: OHKUBO Keisuke, IWANAGA Yukihiro, YAMAZAKI Tomoharu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.12.2018
• Subjects: ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; PAINTS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES

This tape for semiconductor processing includes a substrate layer, an adhesive layer, and a thermosetting adhesive layer, layered in this order. After being subjected to a curing treatment for 1 hour at 130°C, the shrinkage rate of the adhesive layer is less than 2% and the elastic modulus of the adhesive layer under a heated environment is less than 5 MPa. The tape for semiconductor processing can be used as a dicing/die-bonding tape, and also can be used as a tape for temporary anchoring during semiconductor device production, for instance. La présente invention concerne une bande pour traitement de semi-conducteur qui comprend une couche de substrat, une couche adhésive et une couche adhésive thermodurcissable, stratifiées dans cet ordre. Après avoir été soumis à un traitement de durcissement pendant 1 heure à 130 °C, le taux de rétrécissement de la couche adhésive est inférieur à 2 % et le module élastique de la couche adhésive dans un environnement chauffé est inférieur à 5 MPa. La bande pour traitement de semi-conducteur peut être utilisée en tant que bande de découpage en dés/connexion de puces, et peut également être utilisée en tant que bande pour ancrage temporaire pendant la production de dispositifs à semi-conducteurs, par exemple. 本発明に係る半導体加工用テープは、基材層と、粘着層と、熱硬化性を有する接着層とがこの順序で積層されており、１３０℃で１時間の硬化処理がされた後において、接着層の収縮率が２％未満であり且つ接着層の熱時弾性率が５ＭＰａ未満である。この半導体加工用テープは、ダイシングダイボンディングテープとして使用できるとともに、例えば、半導体装置の製造過程における仮固定用テープとしても使用できる。