TAPE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
This tape for semiconductor processing includes a substrate layer, an adhesive layer, and a thermosetting adhesive layer, layered in this order. After being subjected to a curing treatment for 1 hour at 130°C, the shrinkage rate of the adhesive layer is less than 2% and the elastic modulus of the ad...
Saved in:
Main Authors | , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
06.12.2018
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | This tape for semiconductor processing includes a substrate layer, an adhesive layer, and a thermosetting adhesive layer, layered in this order. After being subjected to a curing treatment for 1 hour at 130°C, the shrinkage rate of the adhesive layer is less than 2% and the elastic modulus of the adhesive layer under a heated environment is less than 5 MPa. The tape for semiconductor processing can be used as a dicing/die-bonding tape, and also can be used as a tape for temporary anchoring during semiconductor device production, for instance.
La présente invention concerne une bande pour traitement de semi-conducteur qui comprend une couche de substrat, une couche adhésive et une couche adhésive thermodurcissable, stratifiées dans cet ordre. Après avoir été soumis à un traitement de durcissement pendant 1 heure à 130 °C, le taux de rétrécissement de la couche adhésive est inférieur à 2 % et le module élastique de la couche adhésive dans un environnement chauffé est inférieur à 5 MPa. La bande pour traitement de semi-conducteur peut être utilisée en tant que bande de découpage en dés/connexion de puces, et peut également être utilisée en tant que bande pour ancrage temporaire pendant la production de dispositifs à semi-conducteurs, par exemple.
本発明に係る半導体加工用テープは、基材層と、粘着層と、熱硬化性を有する接着層とがこの順序で積層されており、130℃で1時間の硬化処理がされた後において、接着層の収縮率が2%未満であり且つ接着層の熱時弾性率が5MPa未満である。この半導体加工用テープは、ダイシングダイボンディングテープとして使用できるとともに、例えば、半導体装置の製造過程における仮固定用テープとしても使用できる。 |
---|---|
Bibliography: | Application Number: WO2018JP21034 |