SEMICONDUCTOR MODULE

• Main Authors: ADACHI, Takao, KAJIGAYA, Kazuhiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.12.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

Provided is a semiconductor module which enables a memory bandwidth to be widened, and which enables data transfer efficiency to be improved by reducing power consumption. A semiconductor module 1 comprises: an interposer 10; and a processing unit 20 which has a plurality of processing unit bodies 21 arrayed to be side by side with each other in a first direction F1 along the sheet surface of the interposer 10, and which is placed on the interposer 10 so as to be electrically connected to the interposer 10. The processing unit bodies 21 are provided with a plurality of subset units 22 each including: one calculation unit 23 including at least one core 25; and one memory unit 24 that is configured from a stacked-type RAM module and that is disposed to be side by side with the calculation unit 23 in the first direction F1. The plurality of subset units 22 are arrayed to be side by side with each other in a second direction F2 that intersects with the first direction F1. L'invention concerne un module semi-conducteur qui permet d'élargir une largeur de bande de mémoire, et qui permet d'améliorer l'efficacité de transfert de données en réduisant la consommation d'énergie. Un module semi-conducteur (1) comprend : un interposeur (10) ; et une unité de traitement (20) qui comporte une pluralité de corps d'unité de traitement (21) agencés de façon à être côte à côte les uns avec les autres dans une première direction F1 le long de la surface de feuille de l'interposeur (10), et qui est placé sur l'interposeur (10) de manière à être électriquement relié à l'interposeur (10). Les corps d'unité de traitement (21) sont pourvus d'une pluralité d'unités de sous-ensemble (22) comprenant chacune : une unité de calcul (23) comprenant au moins un cœur (25) ; et une unité de mémoire (24) qui est configurée à partir d'un module de mémoire vive de type empilé et qui est disposée de façon à être côte à côte avec l'unité de calcul (23) dans la première direction F1. La pluralité d'unités de sous-ensemble (22) sont agencées de façon à être côte à côte les unes avec les autres dans une seconde direction F2 qui croise la première direction F1. メモリバンド幅を広げることができるとともに、消費電力を低減することで、データ転送効率を向上することが可能な半導体モジュールを提供すること。　半導体モジュール１は、インタポーザ１０と、インタポーザ１０の板面に沿う第１方向Ｆ１に並設される複数の処理部本体２１を有し、インタポーザ１０に載置されるとともに、インタポーザ１０と電気的に接続される処理部２０と、を備え、処理部本体２１は、少なくとも１つのコア２５を含む１つの演算部２３と積層型ＲＡＭモジュールで構成され演算部２３の第１方向Ｆ１に並設される１つのメモリ部２４とを有するサブセット部２２を複数備え、複数のサブセット部２２は、第１方向Ｆ１に対して交差する第２方向Ｆ２に並設される。