STORAGE SYSTEM AND METHOD OF CONTROLLING MEMORY DEVICE

• Main Authors: KOSEKI, Hideyuki, SUZUKI, Akifumi, MIZUSHIMA, Nagamasa
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.12.2018
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; PHYSICS

At least one of a plurality of nonvolatile semiconductor memory devices is assumed to be a nonvolatile semiconductor memory device (hereafter, a first memory device) that is in a low power consumption state in which an error inspection process and a refresh process cannot be performed. A storage system deactivates the low power consumption state of the first memory device with timing that conforms to an elapsed time since the first memory device was placed into the low power consumption state and the estimated ambient temperature of the first memory device at the elapsed time. When the low power consumption state is deactivated, the first memory device executes an error inspection process and a refresh process. Selon la présente invention, au moins un d'une pluralité de dispositifs de mémoire à semi-conducteurs non volatiles est supposé être un dispositif de mémoire à semi-conducteurs non volatile (ci-après, un premier dispositif de mémoire) qui est dans un état de faible consommation d'énergie dans lequel un processus d'inspection d'erreur et un processus de rafraîchissement ne peuvent pas être effectués. Un système de mémoire désactive l'état de faible consommation d'énergie du premier dispositif de mémoire à l'aide d'une temporisation qui répond à une durée écoulée depuis que le premier dispositif de mémoire a été placé dans l'état de faible consommation d'énergie et à la température ambiante estimée du premier dispositif de mémoire une fois la durée écoulée. Lorsque l'état de faible consommation d'énergie est désactivé, le premier dispositif de mémoire exécute un processus d'inspection d'erreur et un processus de rafraîchissement. 複数の不揮発性半導体メモリデバイスの少なくとも１つが、誤り検査処理およびリフレッシュ処理を行うことができない低消費電力状態の不揮発性半導体メモリデバイス（以下、第１のメモリデバイス）であるとする。ストレージ装置は、第１のメモリデバイスが低消費電力状態にされてからの経過時間と、その経過時間における第１のメモリデバイスの推定周辺温度とに従うタイミングで、第１のメモリデバイスの低消費電力状態を解除する。第１のメモリデバイスは、低消費電力状態が解除された場合、誤り検査処理およびリフレッシュ処理を実行する。