SILICA-CONTAINING SUBSTRATES WITH VIAS HAVING AN AXIALLY VARIABLE SIDEWALL TAPER AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Silica-containing substrates including vias with a narrow waist, and related devices and methods are disclosed. In one embodiment, an article includes a silica-containing substrate including greater than or equal to 85 mol% silica, a first surface, a second surface opposite the first surface, and a...

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Main Authors HUANG, Tian, JIN, Yuhui, DAHLBERG, Rachel Eileen, PIECH, Garrett Andrew, RICKETTS, Daniel Ohen
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 29.11.2018
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Summary:Silica-containing substrates including vias with a narrow waist, and related devices and methods are disclosed. In one embodiment, an article includes a silica-containing substrate including greater than or equal to 85 mol% silica, a first surface, a second surface opposite the first surface, and a via extending through the silica-containing substrate from the first surface toward the second surface. The via includes a first diameter less than or equal to 100 μm at the first surface, a second diameter less than or equal to 100 μm at the second surface, and a via waist between the first surface and the second surface. The via waist has a waist diameter that is less than the first diameter and the second diameter such that a ratio between the waist diameter and each of the first diameter and the second diameter is less than or equal to 75%. L'invention concerne des substrats contenant de la silice comprenant des trous d'interconnexion présentant un étranglement étroit, et des dispositifs et des procédés associés. Dans un mode de réalisation, un article comprend un substrat contenant de la silice comprenant une proportion supérieure ou égale à 85 % en moles de silice, une première surface, une seconde surface en regard de la première surface, et un trou d'interconnexion s'étendant à travers le substrat contenant de la silice, de la première surface vers la seconde surface. Le trou d'interconnexion comprend un premier diamètre inférieur ou égal à 100 μm au niveau de la première surface, un second diamètre inférieur ou égal à 100 μm au niveau de la seconde surface, et un étranglement de trou d'interconnexion entre la première surface et la seconde surface. L'étranglement de trou d'interconnexion présente un diamètre d'étranglement qui est inférieur au premier diamètre et au second diamètre de sorte qu'un rapport entre le diamètre d'étranglement et le premier diamètre et le second diamètre est inférieur ou égal à 75 %.
Bibliography:Application Number: WO2018US33814