SEMICONDUCTOR DEVICE LAYOUT AND METHOD FOR FORMING SAME

• Main Authors: BOLOTNIKOV, Alexander, KENNERLY, Stacey Joy, KRETCHMER, James William, LOSEE, Peter Almern
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.11.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a semiconductor device layer having silicon carbide and having an upper surface and a lower surface. The semiconductor device also includes a heavily doped body region formed in the upper surface of the semiconductor device layer. The semiconductor device further includes a gate stack formed adjacent to and on top of the upper surface of the semiconductor device layer, wherein the gate stack is not formed adjacent to the heavily doped body region. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend une couche de dispositif à semi-conducteur ayant du carbure de silicium et ayant une surface supérieure ainsi qu'une surface inférieure. Le dispositif à semi-conducteur comprend également une région de corps fortement dopée formée dans la surface supérieure de la couche de dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend en outre un empilement de grille formé adjacent à la surface supérieure de la couche de dispositif à semi-conducteur et au-dessus de celle-ci, l'empilement de grille n'étant pas formé adjacent à la région de corps fortement dopée.