FILM AND METHOD FOR PRODUCING FILM

• Main Authors: MANABE, Isao, SHOJI, Hideo, TANAKA, Teruya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.11.2018
• Subjects: AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F,C08G; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING; CHEMISTRY; COMPOSITIONS BASED THEREON; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; LAYERED PRODUCTS; LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT ORNON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; PERFORMING OPERATIONS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDEDFOR; SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; TRANSPORTING; WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE, IN GENERAL; WORKING-UP

A film characterized by having a stress at 5% elongation at 25°C, Ta, of 1.0-20.0 MPa. In cases when dimensional change at 90°C during heating from 25°C to 160°C at a rate of 10 °C/min under a load of 120 g/mm2 is referred to as 90°C dimensional change 1 and when the direction in which the 90°C dimensional change 1 is maximum is referred to as X direction, the direction which is perpendicular to the X direction within the plane of the film is referred to as Y direction, and the X-direction 90°C dimensional change is expressed by T×1 (%), then the film is characterized in that T×1 is -10.00% or greater but not greater than 10.00%. The film has both heat resistance sufficient for maintaining the flatness in heating steps and flexibility sufficient for uses as a dicing pressure-sensitive adhesive film, etc., and is suitable for use as a substrate for semiconductor production steps. L'invention concerne un film caractérisé en ce qu'il présente une contrainte à 5 % d'élongation à 25 °C, Ta, de 1,0 à 20,0 MPa. Dans les cas dans lesquels le changement dimensionnel à 90 °C, au cours d'un chauffage de 25 °C à 160 °C à une vitesse de montée en température de 10 °C/min sous une charge de 120 g/mm2 est appelé changement dimensionnel à 90 °C 1, et dans lesquels la direction dans laquelle le changement dimensionnel à 90 °C 1 est maximum est appelée direction X, la direction qui est perpendiculaire à la direction X dans le plan du film est appelée direction Y, et le changement dimensionnel à 90 °C dans la direction X est exprimé par T×1 (%), alors le film est caractérisé en ce que T×1 vaut -10,00 % ou plus, mais n'est pas supérieur à 10,00 %. Le film présente tant une résistance à la chaleur suffisante pour maintenir la planéité au cours des étapes de chauffage qu'une souplesse suffisante pour des utilisations en tant que film adhésif sensible à la pression de découpage en dés, etc., et convient à une utilisation en tant que substrat pour des étapes de production de semi-conducteurs. ２５℃における５％伸張時応力Ｔａが、１．０ＭＰａ以上２０．０ＭＰａ以下であり、１２０ｇ／ｍｍ２の荷重をかけて、２５℃から１６０℃まで昇温速度１０℃／分で昇温した際の９０℃における寸法変化率を９０℃寸法変化率１、９０℃寸法変化率１が最大となる方向をＸ方向、Ｘ方向とフィルム面内で直交する方向をＹ方向、Ｘ方向の９０℃寸法変化率をＴｘ１（％）としたときに、Ｔｘ１が－１０．００％以上１０．００％以下であることを特徴とする、フィルム。　加熱工程において平面性を維持することができる程度の耐熱性、及びダイシング用粘着フィルム等として使用するのに十分な柔軟性を具備する、半導体製造工程用基材として好適なフィルムを提供する。