LIGHT SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

• Main Authors: ISHIMURA, Eitaro, MATSUMOTO, Keisuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.10.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

In this invention, a rear end surface (12) is formed on the side surface of a removed section (11) defined as a region where a portion was removed from the rear surface side of a semiconductor laser (8). A thin metal film mirror (13) is formed on the bottom surface of the removed section (11). The thin metal film mirror (13) reflects a back surface light emitted from the rear end surface (12) toward a monitor photodiode (14). Dans la présente invention, une surface d'extrémité arrière (12) est formée sur la surface latérale d'une section retirée (11) définie comme région où une partie a été retirée du côté de la surface arrière d'un laser à semi-conducteur (8). Un miroir à film métallique mince (13) est formé sur la surface inférieure de la section retirée (11) et réfléchit une lumière de surface arrière émise à partir de la surface d'extrémité arrière (12) vers une photodiode de surveillance (14). 半導体レーザ（８）の後面側の一部が除去された除去部（１１）の側面に後端面（１２）が形成されている。金属薄膜ミラー（１３）が除去部（１１）の底面に形成されている。金属薄膜ミラー（１３）は、後端面（１２）から出射された背面光をモニターフォトダイオード（１４）に向けて反射する。