SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT

• Main Authors: TAKEMURA, Ryota, YAMAGUCHI, Harunaka
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.10.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The invention comprises: an InP substrate comprising InP; a buffer layer provided above the InP substrate, in contact or not in contact with the InP substrate; an electron multiplier layer provided above the buffer layer, in contact with the buffer layer, and formed from an Al-containing material; a photoabsorption layer provided above the electron multiplier layer, absorbing light to generate a carrier; and a contact layer provided above the photoabsorption layer. The invention is characterized in that the material of the buffer layer is a quaternary crystal having a lower Al composition than the electron multiplier layer. L'invention comprend : un substrat InP comprenant de l'InP; une couche tampon disposée au-dessus du substrat InP, en contact ou non en contact avec le substrat InP; une couche de multiplicateur d'électrons disposée au-dessus de la couche tampon, en contact avec la couche tampon, et formée à partir d'un matériau contenant de l'Al; une couche de photoabsorption disposée au-dessus de la couche de multiplicateur d'électrons, absorbant la lumière pour générer une porteuse; et une couche de contact disposée au-dessus de la couche de photoabsorption. L'invention est caractérisée en ce que le matériau de la couche tampon est un cristal quaternaire ayant une composition d'Al inférieure à celle de la couche de multiplicateur d'électrons. ＩｎＰを材料とするＩｎＰ基板と、該ＩｎＰ基板の上に該ＩｎＰ基板に接して又は接することなく設けられたバッファ層と、該バッファ層の上に該バッファ層と接して設けられ、Ａｌを含む材料で形成された電子増倍層と、該電子増倍層の上方に設けられ、光を吸収してキャリアを発生させる光吸収層と、該光吸収層の上方に設けられたコンタクト層と、を備える。そして、該バッファ層の材料は、電子増倍層よりもＡｌ組成が低い四元の結晶であることを特徴とする。