SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NAGAOKA Tatsuji, TAKAHASHI Ippei, MORINO Tomoo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 11.10.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, an on-resistance Ron(SBD) of an SBD (10) and an on-resistance Ron(PND) of a PN diode are set so that the relationship Ron(SBD) × 105 < Ron(PND) is satisfied in a contact between a Schottky electrode (4) and a second conductive layer (11) or a drift layer (2). In addition, the contact between the outer surface of the second conductive layer (11) and the Schottky electrode (4) is configured to not enter an insulated state. Selon la présente invention, un Ron à résistance à l'état passant (SBD) d'un SBD (10) et un Ron à résistance à l'état passant (PND) d'une diode PN sont réglés de telle sorte que la relation Ron(SBD) × 105 < Ron(PND) est satisfaite dans un contact entre une électrode de Schottky (4) et une seconde couche conductrice (11) ou une couche de dérive (2). De plus, le contact entre la surface extérieure de la seconde couche conductrice (11) et l'électrode de Schottky (4) est configuré pour ne pas entrer dans un état isolé. ショットキー電極（４）と第２導電型層（１１）やドリフト層（２）とのコンタクトについて、ＳＢＤ（１０）でのオン抵抗Ｒｏｎ（ＳＢＤ）とＰＮダイオードでのオン抵抗Ｒｏｎ（ＰＮＤ）とが、Ｒｏｎ（ＳＢＤ）×１０５＜Ｒｏｎ（ＰＮＤ）の関係を満たすようにする。また、第２導電型層（１１）の表面とショットキー電極（４）とのコンタクトが絶縁状態にならないようにする。