PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, OPTICAL AREA SENSOR USING SAME, IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE

• Main Authors: KAWATA Isao, KAJIMOTO Norifumi, IWAWAKI Hironobu, NISHIDE Yosuke, MIYASHITA Hirokazu, OHRUI Hiroki, TAKAHASHI Tetsuo, YAMAGUCHI Tomona, ITABASHI Masumi, SHIOBARA Satoru, KAMATANI Jun, ITO Yuto, NOGUCHI Moe, YAMADA Naoki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.08.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a photoelectric conversion element that includes: an anode; a photoelectric conversion layer comprising a first organic semiconductor, a second organic semiconductor, and a third organic semiconductor; and a cathode. The first organic semiconductor, second organic semiconductor, and third organic semiconductor are all low-molecular organic semiconductors; the mass ratio thereof satisfies the first organic semiconductor ≥ second organic semiconductor ≥ third organic semiconductor; and when the sum of the first organic semiconductor, second organic semiconductor, and third organic semiconductor is 100 mass%, the content of the second organic semiconductor is 6 mass% or more, and the content of the third organic semiconductor is 3 mass% or more. L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui comprend : une anode; une couche de conversion photoélectrique comprenant un premier semiconducteur organique, un second semiconducteur organique et un troisième semiconducteur organique; et une cathode. Le premier semiconducteur organique, le second semiconducteur organique et le troisième semiconducteur organique sont tous des semiconducteurs organiques à faible masse moléculaire; dont le rapport en masse satisfait : le premier semiconducteur organique ≥ second semiconducteur organique ≥ troisième semiconducteur organique; et lorsque la somme du premier semiconducteur organique, second semiconducteur organique et troisième semiconducteur organique est de 100 % en masse, la teneur du second semiconducteur organique est inférieure ou égale à 6 % en masse, et la teneur du troisième semiconducteur organique est supérieure ou égale à 3 % en masse. アノードと、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体とからなる光電変換層と、カソードとを有する光電変換素子において、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体としていずれも低分子有機半導体を用い、質量比を第一の有機半導体≧第二の有機半導体≧第三の有機半導体とし、さらに、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体の合計を１００質量％とした時、第二の有機半導体の含有量を６質量％以上、第三の有機半導体の含有量を３質量％以上とする光電変換素子。