HIGH-EFFICIENCY SEMICONDUCTOR LASER

• Main Authors: DOUSSIERE, Pierre, DOYLEND, Jonathan K
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 05.07.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

Embodiments of the present disclosure may relate to a hybrid silicon distributed feed-back (DFB) laser, wherein light is to propagate through the DFB laser along a length of the DFB laser. The DFB laser may include a mesa with a current channel that extends from the first side of the mesa to the second side of the mesa. At a first location along the length of the DFB laser, the current channel may have a first width and/or the mesa may have a second width. At a second location along the length of the DFB laser, the current channel may have a third width and/or the mesa may have a fourth width as measured in a direction perpendicular to the length of the DFB laser. Other embodiments may be described and/or claimed. Des modes de réalisation de la présente invention peuvent se rapporter à un laser à rétroaction répartie à base de silicium hybride (DFB), la lumière étant destinée à se propager à travers le laser DFB le long d'une longueur du laser DFB. Le laser DFB peut comprendre un mesa avec un canal de courant qui s'étend du premier côté du mesa au second côté du mesa. A un premier emplacement le long de la longueur du laser DFB, le canal de courant peut avoir une première largeur et/ou le mesa peut avoir une seconde largeur. A un second emplacement le long de la longueur du laser DFB, le canal de courant peut avoir une troisième largeur et/ou le mesa peut avoir une quatrième largeur telle que mesurée dans une direction perpendiculaire à la longueur du laser DFB. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.