SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KIM, Chong Cook, SEO, Deok Won, YOON, Yeo Jae, CHOI, Kwang Ki, KIM, Seung Hwan, KIM, Won Ho
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 05.07.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SIGNALLING; TRANSMISSION SYSTEMS FOR MEASURED VALUES, CONTROL OR SIMILARSIGNALS

An embodiment discloses a semiconductor device comprising: a semiconductor structure comprising a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; a first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer; a 2-1 electrode disposed on the second conductive semiconductor layer; and a 2-2 electrode disposed on the second conductive semiconductor layer and spaced apart from the 2-1 electrode, wherein the thickness of a part of the second conductive semiconductor layer between the 2-1 electrode and the 2-2 electrode is smaller than the thickness of the second conductive semiconductor layer vertically overlapping with the 2-1 electrode and the 2-2 electrode; the 2-2 electrode is opposite to the 2-1 electrode and comprises a first region that is closest to the 2-1 electrode; the 2-1 electrode is opposite to the 2-2 electrode and comprises a second region that is closest to the 2-2 electrode; and the relationship between the width (W1) of the first region and the width (W2) of the second region is W1 ≥ W2. Un mode de réalisation concerne un dispositif semi-conducteur comprenant : une structure de semi-conducteur comprenant une première couche de semi-conducteur conductrice, une seconde couche de semi-conducteur conductrice et une couche active disposée entre la première couche de semi-conducteur conductrice et la seconde couche de semi-conducteur conductrice ; une première électrode disposée sur la première couche de semi-conducteur conductrice ; une électrode 2-1 disposée sur la seconde couche de semi-conducteur conductrice ; et une électrode 2-2 disposée sur la seconde couche de semi-conducteur conductrice et espacée de l'électrode 2-1, l'épaisseur d'une partie de la seconde couche de semi-conducteur conductrice entre l'électrode 2-1 et l'électrode 2-2 étant inférieure à l'épaisseur de la seconde couche de semi-conducteur conductrice chevauchant verticalement l'électrode 2-1 et l'électrode 2-2 ; l'électrode 2-2 est opposée à l'électrode 2-1 et comprend une première région qui est la plus proche de l'électrode 2-1 ; l'électrode 2-1 est opposée à l'électrode 2-2 et comprend une seconde région qui est la plus proche de l'électrode 2-2 ; et la relation entre la largeur (W1) de la première région et la largeur (W2) de la seconde région est W1 ≥ W2. 실시 예는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2-1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되며, 상기 제2-1 전극과 이격되어 배치되는 제2-2 전극을 포함하고, 상기 제2-1 전극과 제2-2 전극 사이의 상기 제2 도전형 반도체층의 두께는, 상기 제2-1 전극 및 제2-2 전극과 수직으로 중첩되는 제2 도전형 반도체층의 두께보다 얇고, 상기 제2-2 전극은 상기 제2-1 전극과 마주보며, 상기 제2-1 전극과 거리가 가장 가까운 제1 영역을 포함하고,상기 제2-1 전극은 상기 제2-2 전극과 마주보며 상기 제2-2 전극과 거리가 가장 가까운 제2 영역을 포함하며, 상기 제1 영역의 폭(W1)은 상기 제2 영역의 폭(W2)과 W1≥W2의 관계를 갖는 반도체 소자를 개시한다.