CLEANING LIQUID COMPOSITION

• Main Authors: OHWADA, Takuo, TAKANAKA, Areji, MORITA, Kikue
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.07.2018
• Subjects: ANIMAL AND VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES AND WAXES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CANDLES; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; CLEANING OR DEGREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICALMETHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DETERGENT COMPOSITIONS; DETERGENTS; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FATTY ACIDS THEREFROM; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; RECOVERY OF GLYCEROL; RESIN SOAPS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOAP OR SOAP-MAKING; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS

Provided is a cleaning liquid composition which is useful for cleaning of a substrate or the like that has been subjected to a chemical mechanical polishing (CMP) process in the production steps of an electronic device such as a semiconductor element. A cleaning liquid composition according to the present invention is used for the purpose of cleaning a substrate that has a Cu wiring line, and comprises one or more basic compounds and one or more nitrogen-containing monocyclic heterocyclic aromatic compounds that contain one or more carboxyl groups or ester groups, provided that in cases where one or more amino groups are contained therein, only amino groups directly bonded to a nitrogen-containing heterocyclic ring are contained. This cleaning liquid composition has a hydrogen ion concentration (pH) of 8-12. La présente invention concerne une composition liquide de nettoyage qui sert au nettoyage d'un substrat ou similaire qui a été soumis à un procédé de polissage chimico-mécanique (CMP) lors des étapes de production d'un dispositif électronique tel qu'un élément semi-conducteur. Une composition liquide de nettoyage selon la présente invention est utilisée dans le but de nettoyer un substrat qui présente une ligne de câblage en Cu, et comprend un ou plusieurs composés basiques et un ou plusieurs composés aromatiques hétérocycliques monocycliques contenant de l'azote qui contiennent un ou plusieurs groupes carboxyle ou groupes ester, à condition que, dans les cas où un ou plusieurs groupes amino y sont contenus, seuls des groupes amino directement liés à un noyau hétérocyclique contenant de l'azote soient contenus. Cette composition liquide de nettoyage présente une concentration en ions hydrogène (pH) comprise entre 8 et 12. 半導体素子などの電子デバイスの製造工程における、化学的機械研磨（ＣＭＰ）処理などを施された基板などの洗浄において、有用な洗浄液組成物を提供する。　本発明の洗浄液組成物は、Ｃｕ配線を有する基板を洗浄するための洗浄液組成物であって、塩基性化合物を１種または２種以上と、カルボキシル基またはエステル基を１つ以上有する、ただしアミノ基を１つ以上有する場合は含窒素複素環に直接結合するアミノ基のみを有する、含窒素複素環式単環芳香族化合物を１種または２種以上とを含み、水素イオン濃度（ｐＨ）が８～１２である、前記洗浄液組成物である。