METHOD FOR PRODUCING GROUP 13 ELEMENT NITRIDE

• Main Authors: HIRAO Takayuki, UCHIKAWA Tetsuya, NOGUCHI Suguru, ISODA Yoshinori
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.07.2018
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

The normal vector to the main surface of a seed crystal has an off angle of 0.4-5.0° in the <11-20> direction with respect to the direction of the seed crystal, and the proportion of a group 13 metal is 24-38 mol% when the total amount of the group 13 metal and alkali metals in a melt is 100 mol%. Le vecteur normal à la surface principale d'un germe cristallin présente un angle de décalage de 0,4 à 5,0° dans la direction <11-20> par rapport à la direction du germe cristallin, et la proportion de métal du groupe 13 est de 24 à 38 % en moles lorsque la quantité totale de métal du groupe 13 et de métaux alcalins dans une masse fondue est de 100 % en moles. 種結晶の主面に対する法線が前記種結晶の＜０００１＞方向に対して＜１１－２０＞方向に０．４～５．０°のオフ角を有しており、融液における前記１３族金属と前記アルカリ金属との合計量を１００ｍｏｌ％としたとき、前記１３族金属の割合を２４ｍｏｌ％以上、３８ｍｏｌ％以下とする。