SIBN FILM FOR CONFORMAL HERMETIC DIELECTRIC ENCAPSULATION WITHOUT DIRECT RF EXPOSURE TO UNDERLYING STRUCTURE MATERIAL

• Main Authors: DUAN, Ziqing, MUKHERJEE, Shaunak, JHA, Praket P, GADRE, Milind, MALLICK, Abhijit Basu, PADHI, Deenesh
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 28.06.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Embodiments disclosed herein relate to methods for forming memory devices, and more specifically to improved methods for forming a dielectric encapsulation layer over a memory material in a memory device. In one embodiment, the method includes thermally depositing a first material over a memory material at a temperature less than the temperature of the thermal budget of the memory material, exposing the first material to nitrogen plasma to incorporate nitrogen in the first material, and repeating the thermal deposition and nitrogen plasma operations to form a hermetic, conformal dielectric encapsulation layer over the memory material. Thus, a memory device having a hermetic, conformal dielectric encapsulation layer over the memory material is formed. Des modes de réalisation de la présente invention concernent des procédés de formation de dispositifs de mémoire, et plus particulièrement des procédés améliorés de formation d'une couche d'encapsulation diélectrique sur un matériau de mémoire dans un dispositif de mémoire. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à effectuer un dépôt thermique d'un premier matériau sur un matériau de mémoire à une température inférieure à la température du bilan thermique du matériau de mémoire, exposer le premier matériau à un plasma d'azote pour incorporer de l'azote dans le premier matériau, et répéter les opérations de dépôt thermique et de plasma d'azote pour former une couche d'encapsulation diélectrique conforme hermétique sur le matériau de mémoire. Ainsi, un dispositif de mémoire ayant une couche d'encapsulation diélectrique conforme hermétique sur le matériau de mémoire est formé.