COMPOSITE COMPONENT AND STRUCTURE FOR MOUNTING SAME

• Main Authors: TOYOTA, Yuji, MATSUMOTO, Katsuya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.06.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a composite component which has a semiconductor device and an acoustic wave device stacked therein and which has excellent heat dissipation. In a composite component 3: a semiconductor device 21 is stacked on an acoustic wave device 11; lateral surface electrodes 6, 7 each extend from at least one of a plurality of lateral surfaces 12c, 12d of a piezoelectric substrate 12 in the acoustic wave device 11 to at least one of a plurality of lateral surfaces 22c, 22d of a semiconductor substrate 22 in the semiconductor device 21, and are connected to IDT electrodes 13 and functional electrodes 23a to 23c; and the lateral surface electrodes 6, 7 each extend to at least either a second main surface 12b of the piezoelectric substrate 12 or a second main surface 22b of the semiconductor substrate 22. Cette invention concerne un composant composite qui a un dispositif à semi-conducteur et un dispositif à ondes acoustiques empilés à l'intérieur de celui-ci et qui a une excellente dissipation thermique. Dans un composant composite (3) : un dispositif à semi-conducteur (21) est empilé sur un dispositif à ondes acoustiques (11) ; des électrodes de surface latérale (6, 7) s'étendent chacune à partir d'au moins une surface latérale parmi une pluralité de surfaces latérales (12c, 12d) d'un substrat piézoélectrique (12) dans le dispositif à ondes acoustiques (11) vers au moins l'une d'une pluralité de surfaces latérales (22c, 22d) d'un substrat semi-conducteur (22) dans le dispositif à semi-conducteur (21), et sont connectées à des électrodes IDT (13) et à des électrodes fonctionnelles (23a à 23c) ; et chacune des électrodes de surface latérale (6, 7) s'étend vers au moins une seconde surface principale (12b) du substrat piézoélectrique (12) ou une seconde surface principale (22b) du substrat semi-conducteur (22). 半導体装置と弾性波装置とが積層されており、放熱性に優れた複合部品を提供する。　弾性波装置１１上に半導体装置２１が積層されており、側面電極６，７が弾性波装置１１の圧電性基板１２における複数の側面１２ｃ，１２ｄのうちの少なくとも１つの側面から半導体装置２１の半導体基板２２における複数の側面２２ｃ，２２ｄのうち少なくとも１つの側面に至っており、かつＩＤＴ電極１３及び機能電極２３ａ～２３ｃに接続されており、側面電極６，７は圧電性基板１２における第２の主面１２ｂ上及び半導体基板２２における第２の主面２２ｂ上の少なくとも一方に至っている、複合部品３。