LASER IRRADIATION DEVICE, THIN-FILM TRANSISTOR AND THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: MIZUMURA, Michinobu, MATSUSHIMA, Yoshiaki, TANAKA, Masakazu, NODERA, Nobutake, MATSUMOTO, Takao
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.05.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Because variation in the characteristics of multiple thin film transistors included on a glass substrate occurs depending on variation in energy density of the laser, in the case of using said glass substrate as the liquid crystals of a liquid crystal display device, there is the problem that unevenness occurs in the display. This laser irradiation device is characterized by being provided with a light source which generates a laser, a projection lens which irradiates said laser onto a prescribed region of an amorphous silicon thin-film coated on each of multiple thin film transistors on the glass substrate, and a projection mask pattern which is provided on the projection lens and which has multiple openings such that the laser is irradiated onto each of said multiple thin film transistors; the projection lens irradiates a laser through the projection mask pattern onto the thin film transistors on the glass substrate, which moves in a prescribed direction, and the projection mask pattern is disposed such that said openings are not continuous in a row perpendicular to the direction of movement. Du fait que la variation des caractéristiques de multiples transistors à couches minces compris sur un substrat de verre se produit en fonction de la variation de la densité d'énergie du laser, dans le cas d'une utilisation dudit substrat de verre en tant que cristaux liquides d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, un problème survient selon lequel une irrégularité se produit dans l'affichage. Ce dispositif d'irradiation laser est caractérisé en ce qu'il est pourvu d'une source de lumière qui génère un laser, d'un objectif de projection qui irradie ledit laser sur une région prescrite d'un film mince de silicium amorphe revêtu sur chacun des multiples transistors à couches minces sur le substrat de verre, et d'un motif de masque de projection qui est disposé sur l'objectif de projection et qui a de multiples ouvertures de telle sorte que le laser est irradié sur chacun desdits multiples transistors à couches minces ; l'objectif de projection irradie un laser à travers le motif de masque de projection sur les transistors à couches minces sur le substrat de verre, qui se déplace dans une direction prescrite, et le motif de masque de projection est disposé de telle sorte que lesdites ouvertures ne sont pas continues dans une rangée perpendiculaire à la direction de mouvement. レーザ光のエネルギ密度のばらつきに依存して、ガラス基板に含まれる複数の薄膜トランジスタの特性にばらつきが生じ、ガラス基板を液晶表示装置の液晶に用いた場合、表示むらが生じてしまうという問題がある。本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、ガラス基板上の複数の薄膜トランジスタの各々に被着されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に、当該レーザ光を照射する投影レンズと、当該投影レンズ上に設けられ、当該複数の薄膜トランジスタの各々に対して当該レーザ光が照射されるように、複数の開口部が設けられた投影マスクパターンと、を備え、当該投影レンズは、所定の方向に移動する当該ガラス基板上の当該複数の薄膜トランジスタに対して、当該投影マスクパターンを介して当該レーザ光を照射し、当該投影マスクパターンは、当該移動する方向に直交する一列において、当該開口部が連続しないように設けられることを特徴とする。