RESIN COMPOSITION AND USE THEREOF

• Main Authors: NAKASHIMA, Hiromitsu, OSAWA, Sosuke, SAKURAI, Tomohiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 11.05.2018
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; COMPOSITIONS BASED THEREON; COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP

Provided are: a resin composition excellent in terms of all of improvement in pattern shape, prevention of residue defects, and prevention of water mark defects; and a method for forming a resist pattern. The resin composition comprises: resin A, which contains sulfonic-acid-group-containing structural units in an amount exceeding 5 mol% and contains fluorine atoms in an amount per unit mass of 30 mass% or less; resin C, which contains fluorine atoms in a larger amount per unit mass than in resin A; and a solvent. In the resin composition, the content of the resin A is lower than the content of the resin C. L'invention concerne : une composition de résine excellente en termes de toute amélioration de la forme de motif, de prévention de défauts résiduels et de prévention de défauts de marques d'eau ; et un procédé de formation d'un motif de réserve. La composition de résine comprend : une résine A, qui contient des unités structurales contenant un groupe acide sulfonique dans une quantité dépassant 5 % en moles et qui contient des atomes de fluor dans une quantité par unité de masse de 30 % en masse ou moins ; une résine C, qui contient des atomes de fluor en une quantité plus grande par unité de masse que dans la résine A ; et un solvant. Dans la composition de résine, la teneur en résine A est inférieure à la teneur en résine C. パターン形状改善性、残渣欠陥防止性及びウォーターマーク欠陥防止性のいずれにも優れる樹脂組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。スルホン酸基含有構造単位を５ｍｏｌ％を超える含有割合で含み、かつ単位質量当たりに含まれるフッ素原子の質量が３０質量％以下である樹脂Ａ、単位質量当たりに含まれるフッ素原子の質量が樹脂Ａより多い樹脂Ｃ、及び溶剤を含み、前記樹脂Ａの含有量が、前記樹脂Ｃの含有量より少ない樹脂組成物。