SEMICONDUCTOR SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME, AND COMPOUND SENSOR

• Main Authors: NAGAO, Kazumasa, MURASE, Seiichiro, NAITO, Kojiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.05.2018
• Subjects: ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; TESTING

In order for a semiconductor sensor to detect a target substance selectively and with high sensitivity, this semiconductor sensor comprises a base plate, a first electrode, a second electrode, and a semiconductor layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein: the semiconductor layer includes a semiconductor component and an immunoglobulin partial structure; and the immunoglobulin partial structure is bound or attached to the semiconductor component via a linking group L1 in a heavy chain hinge region. Furthermore, in a method of manufacturing a semiconductor sensor according to the present invention, a step of forming a semiconductor layer includes a step of applying a semiconductor component between a first electrode and a second electrode. Afin qu'un capteur à semi-conducteur puisse détecter une substance cible de manière sélective et avec une sensibilité élevée, l'invention concerne un capteur à semi-conducteur qui comporte une plaque de base, une première électrode, une seconde électrode et une couche semi-conductrice disposée entre la première électrode et la seconde électrode, la couche semi-conductrice comprenant un composant semi-conducteur et une structure partielle d'immunoglobuline ; la structure partielle d'immunoglobuline étant liée ou fixée au composant semi-conducteur par l'intermédiaire d'un groupe de liaison L1 dans une zone de charnière de chaîne lourde. En outre, dans un procédé de fabrication d'un capteur à semi-conducteur de la présente invention, une étape de formation d'une couche semi-conductrice comprend une étape d'application d'un composant semi-conducteur entre une première électrode et une seconde électrode. 半導体センサにおいてターゲット物質を選択的かつ高感度に検出するために、基板と、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられた半導体層と、を有する半導体センサであって、半導体層は、半導体成分と、免疫グロブリンの部分構造体とを含み、免疫グロブリンの部分構造体が、重鎖のヒンジ領域において、連結基Ｌ１を介して半導体成分に結合または付着している。　さらに、半導体センサの製造方法であって、半導体層を形成する工程が、第１電極と第２電極の間に半導体成分を塗布する工程を含む。