SOLID STATE MEMORY COMPONENT

Solid state memory technology is disclosed. In one example, a solid state memory component can include a plurality of bit lines, a source line, and a plurality of non-functional memory pillars. Each non-functional memory pillar is electrically isolated from one or both of the plurality of bit lines...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors DARMARLA, Gowrisankar, MOKHNA RAU, Prakash Rau, DAYCOCK, David A, MATOVU, John B, VEGUNTA, Sri Sai Sivakumar, HALLER, Gordon A, ZHAO, Jun, PARK, Matthew R
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 05.04.2018
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:Solid state memory technology is disclosed. In one example, a solid state memory component can include a plurality of bit lines, a source line, and a plurality of non-functional memory pillars. Each non-functional memory pillar is electrically isolated from one or both of the plurality of bit lines and the source line. In another example, a solid state memory component can include a plurality of pillars located in a periphery portion of the solid state memory component, and memory cells adjacent to each of the pillars. Associated systems and methods are also disclosed. L'invention concerne une technologie de mémoire à semi-conducteurs. Dans un exemple, un composant de mémoire à semi-conducteurs peut comprendre une pluralité de lignes de bits, une ligne de source et une pluralité de piliers de mémoire non fonctionnels. Chaque pilier de mémoire non fonctionnel est électriquement isolé d'un type ou des deux types de ligne parmi la pluralité de lignes de bits et la ligne de source. Dans un autre exemple, un composant de mémoire à semi-conducteurs peut comprendre une pluralité de piliers situés dans une partie périphérique du composant de mémoire à semi-conducteurs, et des cellules de mémoire adjacentes à chacun des piliers. L'invention concerne également des systèmes et des procédés associés.
Bibliography:Application Number: WO2017US49995