TRANSPARENT P-N JUNCTION PROVIDING A RECTIFYING CONTACT

• Main Authors: LETURCQ, Renaud, LENOBLE, Damien, CREPELLIERE, Jonathan, BAHLAWANE, Naoufal
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 05.04.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The first object of the invention is directed to a three-layer architecture p-n junction comprising a substrate as first layer, a second layer of p-oxide material coated on said substrate, and a third layer of n-oxide material coated on said second layer; wherein said third layer of n-oxide material comprises ZnO. Said p-n junction is remarkable in that said second layer of p-oxide material consists of CuCrO2 wherein the Cr/Cu ratio within said layer is >1. The second object of the invention is a method for forming the p-n junction as defined in the first object using the steps of coating the substrate with CuCrO2 by MOCVD and of coating said layer with ZnO by ALD. The third object of the invention concerns the use of said p-n junction as a diode in a photodiode array of the detection unit of a UV detector. Le premier objet de l'invention concerne une jonction p-n à architecture tricouche comprenant un substrat en tant que première couche, une deuxième couche de matériau d'oxyde p appliquée sur ledit substrat et une troisième couche de matériau d'oxyde n appliquée sur ladite deuxième couche, ladite troisième couche de matériau d'oxyde n comprenant du ZnO. Ladite jonction p-n est remarquable en ce que ladite deuxième couche de matériau d'oxyde p est constituée de CuCrO2, le rapport Cr/Cu à l'intérieur de ladite couche étant supérieur à 1. Le second objet de l'invention est un procédé de formation de la jonction p-n telle que définie dans le premier objet à l'aide des étapes de revêtement du substrat avec du CuCrO2 par MOCVD, et de revêtement de ladite couche avec ZnO par ALD. Le troisième objet de l'invention concerne l'utilisation de ladite jonction p-n comme diode dans une barrette de photodiodes de l'unité de détection d'un détecteur UV.