METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, AND PROGRAM

• Main Authors: SHIMAMOTO Satoshi, TAKASAWA Yushin, HARADA Katsuyoshi, SONE Shin
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.03.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention performs: (a) a step for supplying a substrate at a first temperature with hydrogen gas, while not supplying the substrate with an oxygen-containing gas; (b) a step for changing the temperature of the substrate from the first temperature to a second temperature that is higher than the first temperature, in a state wherein the substrate is supplied with the hydrogen gas, while not being supplied with the oxygen-containing gas; and (c) a step for forming, on the substrate having been subjected to the steps (a) and (b), an oxide film by alternately repeating, in a state wherein the temperature of the substrate is kept at the second temperature, a step for supplying the substrate with a gaseous starting material, and a step for supplying the substrate with the oxygen-containing gas, while not supplying the substrate with the hydrogen-containing gas. La présente invention réalise : (a) une étape consistant à alimenter un substrat à une première température en hydrogène gazeux, tout en n'alimentant pas le substrat en gaz contenant de l'oxygène ; (b) une étape consistant à modifier la température du substrat de la première température à une seconde température qui est supérieure à la première température, dans un état dans lequel le substrat est alimenté en hydrogène gazeux, tout en n'étant pas alimenté en gaz contenant de l'oxygène ; et (c) une étape consistant à former, sur le substrat ayant été soumis aux étapes (a) et (b), un film d'oxyde par répétition alternée, dans un état dans lequel la température du substrat est maintenue à la seconde température, d'une étape d'alimentation du substrat en matériau de départ gazeux, et d'une étape d'alimentation du substrat en gaz contenant de l'oxygène, tout en n'alimentant pas le substrat en gaz contenant de l'hydrogène. （ａ）第１温度とした基板に対して酸素含有ガスを非供給としつつ水素ガスを供給する工程と、（ｂ）基板に対して酸素含有ガスを非供給としつつ水素ガスを供給した状態で、基板の温度を第１温度から第１温度よりも高い第２温度に変更する工程と、（ｃ）基板の温度を第２温度に維持した状態で、基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対して水素含有ガスを非供給としつつ酸素含有ガスを供給する工程と、を交互に繰り返すことで、（ａ）（ｂ）実施後の基板上に酸化膜を形成する工程と、を行う。