RF SWITCHES FOR CAPACITIVE OSCILLATOR TUNING

• Main Authors: GUSTEDT, Thomas, LEISTNER, Andreas Jörn, BROUSSEV, Svetozar, ROITHMEIER, Andreas
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.03.2018
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRICITY; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS; GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING,BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN ANON-SWITCHING MANNER; PULSE TECHNIQUE; TRANSMISSION

Various designs for MOS transistor-based RF switch topologies for high speed capacitive tuning of oscillators switch circuits include a main switch device comprising a gate connected to a control terminal, a drain connected to a first terminal that is connected to the first capacitor, and a source connected to a second terminal that is connected to the second capacitor. The switch further comprises a first NMOS device having a gate connected to the main switch device gate, a source connected to a ground, and a drain connected to the first terminal. The switch further comprises a second NMOS device having a gate connected to the main switch device gate, a source connected to a ground, and a drain connected to the second terminal. The switch further comprises a pair of PMOS devices each having drains connected respectively to the first and second terminals. La présente invention concerne diverses conceptions pour des topologies de commutateur RF à base de transistors MOS pour un accord capacitif à grande vitesse de circuits de commutation d'oscillateurs, lesdites conceptions comprenant un dispositif de commutation principal comprenant une grille raccordée à un terminal de commande, un drain raccordé à une première borne qui est raccordée au premier condensateur, et une source raccordée à une seconde borne qui est raccordée au second condensateur. Le commutateur comprend en outre un premier dispositif NMOS ayant une grille raccordée à la grille de dispositif de commutation principal, une source raccordée à une masse et un drain raccordé au premier terminal. Le commutateur comprend en outre un second dispositif NMOS ayant une grille raccordée à la grille de dispositif de commutation principal, une source raccordée à une masse et un drain raccordé au second terminal. Le commutateur comprend en outre une paire de dispositifs PMOS ayant chacun des drains raccordés respectivement aux première et seconde bornes.