SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SONEHARA Masahito, WADA Shinichirou
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.03.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device that can enhance the uniformity of the temperature of a transistor in an active clamp state while maintaining the current performance. A power transistor 14 is connected in parallel to a power transistor 13. An active clamp circuit 8 is provided on a path R1 extending from a junction point P1 between the power transistor 13 and the power transistor 14 to the gate of the power transistor 13, and is energized when the voltage at the junction point P1 exceeds a first threshold. An active clamp interruption circuit 12 is provided on a path R2 extending from the active clamp circuit 12 to the gate of the power transistor 14, and interrupts or suppresses the current flowing through the path R2. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur permettant d'améliorer l'uniformité de la température d'un transistor dans un état de fixation actif tout en maintenant le rendement actuel. Un transistor de puissance (14) est connecté en parallèle à un transistor de puissance (13). Un circuit de fixation actif (8) est disposé sur un trajet (R1) partant d'un point de jonction (P1) entre le transistor de puissance (13) et le transistor de puissance (14) jusqu'à la grille du transistor de puissance (13), et est excité lorsque la tension au point de jonction (P1) dépasse un premier seuil. Un circuit d'interruption de fixation actif (12) est disposé sur un trajet (R2) partant du circuit de fixation actif (12) jusqu'à la grille du transistor de puissance (14), et interrompt ou supprime le courant circulant à travers le trajet (R2). 電流性能を維持しつつ、アクティブクランプ状態におけるトランジスタの温度の均一性を向上することができる半導体装置を提供する。 パワートランジスタ１４は、パワートランジスタ１３に並列接続される。アクティブクランプ回路８は、パワートランジスタ１３とパワートランジスタ１４との間の接続点Ｐ１からパワートランジスタ１３のゲートまでの経路Ｒ１に設けられ、接続点Ｐ１の電圧が第１閾値を超えた場合、導通する。アクティブクランプ遮断回路１２は、アクティブクランプ回路１２からパワートランジスタ１４のゲートまでの経路Ｒ２に設けられ、経路Ｒ２に流れる電流を遮断又は抑制する。