CHALCOGENIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MAKING THE SAME

• Main Author: PINTER, Michael R
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 01.03.2018
• Subjects: ALLOYS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS

In one embodiment, a physical vapor deposition device includes a phase change material sputtering target includes a primary matrix and at least one additional phase. The primary matrix includes at least one element from Group VI of the periodic table excluding oxygen and one or more elements from Group IV or Group V of the periodic table. The additional phase is substantially homogenously dispersed in the primary matrix. Dans un mode de réalisation, un dispositif de dépôt physique en phase vapeur comprend une cible de pulvérisation constituée d'un matériau à changement de phase comprenant une matrice primaire et au moins une phase supplémentaire. La matrice primaire comprend au moins un élément du groupe VI du tableau périodique, à l'exclusion de l'oxygène, et un ou plusieurs éléments du groupe IV ou du groupe V du tableau périodique. La phase supplémentaire est dispersée de manière sensiblement homogène dans la matrice primaire.