WAFER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

• Main Authors: RYU, Kyoung Min, KIM, In Kyum, JANG, Kyu Il, KIM, Jae Sun
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 15.02.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An embodiment of a wafer manufacturing method may comprise: an ingot growing step of producing an ingot having a single crystal silicon structure; a sub-substrate manufacturing step of manufacturing a sub-substrate by processing the ingot; a poly silicon deposition step of depositing a thin film layer having a poly silicon structure on the sub-substrate; a wafer polishing step of polishing an upper surface of the thin film layer; a wafer cleaning step of cleaning the wafer; and a post-treatment step which is performed after completion of the wafer cleaning step. Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication de tranche peut comprendre : une étape de croissance de lingot consistant à produire un lingot ayant une structure de silicium monocristallin; une étape de fabrication de sous-substrat consistant à fabriquer un sous-substrat par traitement du lingot; une étape de dépôt de polysilicium consistant à déposer une couche de film mince ayant une structure de polysilicium sur le sous-substrat; une étape de polissage de tranche consistant à polir une surface supérieure de la couche de film mince; une étape de nettoyage de tranche consistant à nettoyer la tranche; et une étape de post-traitement qui est effectuée après l'achèvement de l'étape de nettoyage de tranche. 웨이퍼 제조방법의 일 실시예는, 단결정실리콘 구조의 잉곳을 제작하는 잉곳 성장단계; 상기 잉곳을 가공하여 서브기판을 제작하는 서브기판 제작단계; 상기 서브기판 상측에 폴리실리콘(poly silicon) 구조의 박막층의 증착공정을 진행하는 폴리실리콘 증착단계; 상기 박막층 상면을 연마하는 웨이퍼 연마단계; 상기 웨이퍼를 세척하는 웨이퍼 클리닝단계; 및 상기 웨이퍼 클리닝단계 완료 후 진행되는 후처리 단계를 포함하는 것일 수 있다.