SUBSTRATE JOINING DEVICE AND SUBSTRATE JOINING METHOD USING SAME

• Main Authors: GOTO, Takayuki, UTSUMI, Jun, IDE, Kensuke, SUZUKI, Takenori
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.02.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLDERING OR UNSOLDERING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

Provided is a substrate joining device (100), which joins a first substrate (11) comprising at least one among a semiconductor material, a compound semiconductor material, and a metal material, with a second substrate (12), the substrate joining device (100) being provided with: a lower stage (113) for holding the first substrate (11); an upper stage (115) for holding the second substrate (12); a lifting cylinder (114) for vertically moving the upper stage (115); an exhaust pump (116) for evacuating a chamber (111); a gas source (117) for supplying a gas (1) such as Ar into the chamber (111); electrode plates (113a, 115a) and an alternating current power source (118) which generate plasma (2) of the gas (1) between the upper and lower stages (113, 115); and an earth (119) which causes plasma particles (Mp) to collide with the surface of the first substrate (11) and sputtered particles (Ms) from the first substrate (11) to be attached to the surface of the second substrate (12). L'invention concerne un dispositif de jonction de substrat (100), qui relie un premier substrat (11) comprenant au moins un matériau parmi un matériau semi-conducteur, un matériau semi-conducteur composé, et un matériau métallique, avec un second substrat (12), le dispositif de jonction de substrat (100) étant pourvu : d'un étage inférieur (113) pour maintenir le premier substrat (11); d'un étage supérieur (115) pour maintenir le second substrat (12); un vérin de levage (114) pour déplacer verticalement l'étage supérieur (115); une pompe d'échappement (116) pour évacuer une chambre (111); une source de gaz (117) pour fournir un gaz (1) tel que Ar dans la chambre (111); des plaques d'électrodes (113a, 115a) et une source d'alimentation en courant alternatif (118) qui génère du plasma (2) du gaz (1) entre les étages supérieur et inférieur (113, 115); et une terre (119) qui amène les particules de plasma (Mp) à entrer en collision avec la surface du premier substrat (11) et des particules pulvérisées (Ms) du premier substrat (11) à fixer à la surface du second substrat (12). 半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一種からなる第一の基材（１１）と、第二の基材（１２）とを接合する基材接合装置（１００）であって、第一の基材（１１）を保持する下ステージ（１１３）と、第二の基材（１２）を保持する上ステージ（１１５）と、上ステージ（１１５）を昇降させる昇降シリンダ（１１４）と、チャンバ（１１１）内を排気する排気ポンプ（１１６）と、チャンバ（１１１）内にＡｒ等のガス（１）を供給するガス源（１１７）と、上下ステージ（１１３，１１５）間にガス（１）のプラズマ（２）を発生させる電極板（１１３ａ，１１５ａ）及び交流電源（１１８）と、プラズマ粒子（Ｍｐ）を第一の基材（１１）の表面へ衝突させて第一の基材（１１）のスパッタ粒子（Ｍｓ）を第二の基材（１２）の表面に被着させるアース（１１９）とを備える。