GAS SPRAYER FOR SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE

• Main Authors: SHIN, Seung Chul, YOON, Ho Bin, YOO, Jin Hyuk, CHO, Byoung Ha
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 25.01.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a gas sprayer for a substrate treatment device and the substrate treatment device, which comprise: a plasma generation part for generating plasma in order to perform a treatment process on a substrate supported by a substrate support part; a ground body to which the plasma generation part is coupled; and a plasma-shielding part for shielding the plasma generated by the plasma generation part, wherein the plasma generation part comprises a first electrode for generating plasma, and a second electrode which is coupled to the ground body in a location separated from the first electrode such that a gas-spraying space for spraying a process gas is formed in the space between the second electrode and the first electrode, and wherein the plasma-shielding part shields the plasma generated by the plasma generation part, from the inside and/or outside of the substrate. La présente invention porte sur un pulvérisateur de gaz destiné à un dispositif de traitement de substrat et sur ledit dispositif de traitement de substrat, qui comprennent : une partie de production de plasma servant à produire du plasma afin d'effectuer un processus de traitement sur un substrat supporté par une partie de support de substrat; un corps de masse auquel la partie de production de plasma est couplée; et une partie de protection de plasma servant à protéger le plasma produit par la partie de production de plasma, la partie de production de plasma comprenant une première électrode servant à produire du plasma, et une seconde électrode servant à produire du plasma qui est couplée au corps de masse dans un emplacement séparé de la première électrode, de telle sorte qu'un espace de pulvérisation de gaz servant à pulvériser un gaz de traitement est formé dans l'espace entre les première et seconde électrodes, la partie de protection de plasma protégeant de l'intérieur et/ou de l'extérieur du substrat le plasma produit par la partie de production de plasma. 본 발명은 기판지지부에 지지된 기판에 대해 처리공정을 수행하기 위해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부; 상기 플라즈마 생성부가 결합되는 접지본체; 및 상기 플라즈마 생성부가 생성하는 플라즈마를 차폐하는 플라즈마 차폐부를 포함하고, 상기 플라즈마 생성부는 플라즈마 생성을 위한 제1전극, 및 상기 제1전극과의 사이에 공정가스를 분사하기 위한 가스분사공간이 형성되도록 상기 제1전극으로부터 이격된 위치에서 상기 접지본체에 결합되는 제2전극을 포함하며, 상기 플라즈마 차폐부는 상기 기판의 내측 쪽 또는 상기 기판의 외측 쪽 중에서 적어도 한쪽에서 상기 플라즈마 생성부가 생성하는 플라즈마를 차폐하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치용 가스 분사 장치 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.