STORAGE DEVICE AND STORAGE EQUIPMENT

A storage device according to an embodiment of the present invention comprises a device controller, which provides a logical storage space of a predetermined size to a storage controller, and a nonvolatile semiconductor storage medium having a plurality of blocks, which are data erase units. Further...

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Main Authors FUJIMOTO, Kazuhisa, KOSEKI, Hideyuki
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 04.01.2018
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Summary:A storage device according to an embodiment of the present invention comprises a device controller, which provides a logical storage space of a predetermined size to a storage controller, and a nonvolatile semiconductor storage medium having a plurality of blocks, which are data erase units. Further, each block is configured such that the cells in the block can be switched from operating in a first mode, in which the cells can store n-bit information, to operating in a second mode, in which the cells can store m-bit information (where n < m). The device controller manages, as reserve capacity, the portion of the combined available storage area of the plurality of blocks other than a selected storage area required to allocate the logical storage space, and if the reserve capacity becomes less than a predetermined threshold value, the device controller switches some of the blocks from operating in the first mode to operating in the second mode, thereby increasing available storage areas. La présente invention concerne un dispositif de mémoire, selon un mode de réalisation, qui consiste en un dispositif de commande de dispositif qui fournit un espace de mémoire logique d'une taille prédéfinie à un dispositif de commande de mémoire et un support d'informations non volatiles à semi-conducteurs ayant une pluralité de blocs, qui sont des unités d'effacement de données. En outre, chaque bloc est configuré de sorte que les cellules dans le bloc peuvent être commutées du fonctionnement dans un premier mode, dans lequel les cellules peuvent mémoriser des informations à n bits, vers le fonctionnement dans un second mode, dans lequel les cellules peuvent mémoriser des informations à m bits (où n < m). Le dispositif de commande de dispositif gère, en tant que capacité de réserve, la partie de la zone de mémoire disponible combinée de la pluralité de blocs autres qu'une zone de mémoire sélectionnée requise pour attribuer l'espace de mémoire logique et, si la capacité de réserve devient inférieure à une valeur seuil prédéterminée, le dispositif de commande de dispositif commute certains des blocs du fonctionnement dans le premier mode vers le fonctionnement dans le second mode, ce qui permet d'augmenter les zones de mémoire disponibles. 本発明の一実施形態に係る記憶デバイスは、ストレージコントローラに所定サイズの論理記憶空間を提供するデバイスコントローラと、データの消去単位であるブロックを複数有する不揮発性半導体記憶媒体とを有する。また各ブロックは、ブロック内のセルを、nビットの情報を格納可能な第1モードで運用中の状態から、mビット(n<m)の情報を格納可能な第2モードに変更可能に構成されている。デバイスコントローラは、ブロック内の使用可能な記憶領域のうち、論理記憶空間に割り当てるために必要なブロック内記憶領域の量を超過する記憶領域を、予備容量として管理しており、予備容量が所定の閾値を下回った時、第1モードで運用中のブロックの一部を、第2モードで運用されるように変更することで、使用可能な記憶領域を増加させる。
Bibliography:Application Number: WO2016JP69077