METHOD AND DEVICE FOR LOCATING THE ORIGIN OF A DEFECT AFFECTING A STACK OF THIN LAYERS DEPOSITED ON A SUBSTRATE

• Main Authors: MATHEY, Grégoire, NGHIEM, Bernard, KAUFFMANN, Thierry, FAUCILLON, Yohan
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.01.2018
• Subjects: CALCULATING; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; COMPUTING; COUNTING; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; METALLURGY; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS; OPTICS; PHYSICS; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TESTING

This method for locating, in a deposition line comprising a succession of compartments, an origin of a defect affecting a stack of thin layers deposited on a substrate in the compartments, in which each thin layer of a material is deposited in one or more successive compartments of the deposition line and pieces of debris remaining on the surface of a thin layer deposited in a compartment act as masks for the subsequent depositions of thin layers and are the origin of defects, comprises: a step (E10) of obtaining at least one image showing said defect, said at least one image being acquired by at least one optical inspecting system placed at the end of the deposition line; a step (E20) of determining, from said at least one image, a signature of the defect, this signature containing at least one characteristic representative of the defect; and a step (E40) of identifying at least one compartment of the deposition line liable to be the origin of the defect from the signature of the defect and using reference signatures associated with the compartments of the deposition line. Ce procédé de localisation,dans une ligne de dépôt comprenant une succession de compartiments, d'une origine d'un défaut affectant un empilement de couches minces déposées sur un substrat dans les compartiments,où chaque couche mince d'un matériau est déposée dans un ou plusieurs compartiments successifs de la ligne de dépôt et des débris subsistant à la surface d'une couche mince déposée dans un compartiment agissent comme des masques pour les dépôts de couches minces subséquents et sont à l'origine de défauts, comprend: une étape d'obtention (E10) d'au moins une image représentant ledit défaut acquise par au moins un système de contrôle optique placé en sortie de la ligne de dépôt; une étapede détermination(E20), à partir de ladite au moins une image, d'une signature du défaut, cette signature comprenant au moins une caractéristique représentative du défaut; une étape d'identification(E40)d'au moins un compartiment de la ligne de dépôt susceptible d'être à l'origine du défaut à partir de la signature du défaut et en utilisant des signatures de référence associéesaux compartiments de la ligne de dépôt.