OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING PHOSPHOR LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT
This optical semiconductor element having a phosphor layer is provided with: an optical semiconductor element that has a light-emitting surface, and an opposing surface disposed so as to be vertically set apart from and to face opposite the light-emitting surface; an adhesive layer disposed on the u...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
28.12.2017
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Summary: | This optical semiconductor element having a phosphor layer is provided with: an optical semiconductor element that has a light-emitting surface, and an opposing surface disposed so as to be vertically set apart from and to face opposite the light-emitting surface; an adhesive layer disposed on the upper side of the light-emitting surface so as to contact the light-emitting surface; a phosphor layer disposed on the upper side of the adhesive layer; and a white layer disposed in the periphery of the optical semiconductor element so as to contact side surfaces of the optical semiconductor element. The thickness of the adhesion layer is 2-15 µm.
Cet élément semi-conducteur optique ayant une couche de phosphore est pourvu : d'un élément semi-conducteur optique qui a une surface électroluminescente, et une surface opposée disposée de manière à être séparée verticalement de la surface électroluminescente et disposée sur la face opposée de celle-ci; une couche adhésive disposée sur le côté supérieur de la surface électroluminescente de manière à être en contact avec la surface électroluminescente; une couche de phosphore disposée sur le côté supérieur de la couche adhésive; et une couche blanche disposée à la périphérie de l'élément semi-conducteur optique de manière à venir en contact avec les surfaces latérales de l'élément semi-conducteur optique. L'épaisseur de la couche d'adhésion est comprise entre 2 et 15 µm.
蛍光体層付光半導体素子は、発光面および発光面に対して上下方向に間隔を隔てて対向配置される対向面を有する光半導体素子と、発光面の上側に、発光面と接触するように配置される接着層と、接着層の上側に配置される蛍光体層と、光半導体素子の周囲に、光半導体素子の側面と接触するように配置される白色層とを備える。接着層の厚みは、2μm以上15μm以下である。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2017JP19059 |