CAPACITIVE INTERCONNECT IN A SEMICONDUCTOR PACKAGE

Capacitive interconnects and processes for fabricating the capacitive interconnects are provided. In some embodiments, the capacitive interconnect includes first metal layers, second metal layers; and dielectric layers including a dielectric layer that intercalates a first metal layer of the first m...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors YONG, Khang Choong, TAN, Fern Nee, LIM, Min Suet, GOH, Eng Huat, SIR, Jiun Hann
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 21.12.2017
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:Capacitive interconnects and processes for fabricating the capacitive interconnects are provided. In some embodiments, the capacitive interconnect includes first metal layers, second metal layers; and dielectric layers including a dielectric layer that intercalates a first metal layer of the first metal layers and a second metal layer of the second metal layers. Such layers can be assembled in a nearly concentric arrangement, where the dielectric layer abuts the first metal layer and the second metal layer abuts the dielectric layer. In addition, the capacitive interconnect can include a first electrode electrically coupled to at least one of the first metal layers, and a second electrode electrically coupled to at least one of the second metal layers, the second electrode assembled opposite to the first electrode. The first electrode and the second electrode can include respective solder tops. L'invention concerne des interconnexions capacitives et des procédés de fabrication des interconnexions capacitives. Selon des modes de réalisation, l'interconnexion capacitive inclut de premières couches de métal, de deuxièmes couches de métal ; et des couches diélectriques incluant une couche diélectrique qui intercale une première couche de métal parmi les premières couches de métal et une deuxième couche de métal parmi les deuxièmes couches de métal. De telles couches peuvent être assemblées selon un agencement presque concentrique, la couche diélectrique butant contre la première couche de métal et la deuxième couche de métal butant contre la couche diélectrique. Par ailleurs, l'interconnexion capacitive peut inclure une première électrode électriquement couplée à au moins une des premières couches de métal, et une deuxième électrode électriquement couplée à au moins une des deuxièmes couches de métal, la deuxième électrode étant montée de manière opposée à la première électrode. La première électrode et la deuxième électrode peuvent inclure des sommets de brasure respectifs.
Bibliography:Application Number: WO2017US33340