METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

• Main Authors: NARUSHIMA Yasuhito, KUBOTA Toshimichi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.12.2017
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

This method for producing a silicon single crystal includes: a shoulder portion forming step of forming a shoulder portion of a silicon single crystal; and a straight body portion forming step of forming a straight body portion of the silicon single crystal. The shoulder portion forming step forms the shoulder portion by heating a crucible such that the heating ratio of the amount of heating of a lower heating portion divided by the amount of heating of an upper heating portion is greater than a predetermined value of one or more. La présente invention concerne la production d'un monocristal de silicium comprenant : une étape de formation d'une partie d'épaulement destinée à former une partie d'épaulement d'un monocristal de silicium ; et une étape de formation d'une partie de corps rectiligne destinée à former une partie de corps rectiligne du monocristal de silicium. L'étape de formation d'une partie d'épaulement forme la partie d'épaulement en chauffant un creuset de sorte que le rapport du niveau de chauffage d'une partie de chauffage inférieure divisé par le niveau de chauffage d'une partie de chauffage supérieure soit supérieur à une valeur prédéterminée de un ou plus. シリコン単結晶の製造方法は、シリコン単結晶の肩部を形成する肩部形成工程と、シリコン単結晶の直胴部を形成する直胴部形成工程とを備え、肩部形成工程は、下加熱部の加熱量を上加熱部の加熱量で除した加熱比が１以上の所定の値から大きくなるように坩堝を加熱して肩部を形成する。