SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: YONEDA, Yutaka, KIKUCHI, Masao
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.12.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device provided with an insulating substrate (5) having conductor patterns (52a, 52b) on both sides of an insulating base material (51), a semiconductor element (1) mounted on one of the conductor patterns, and an electrode terminal (3) bonded to the one conductor pattern by means of a hard brazing material (10), wherein the electrode terminal has a larger heat capacity per unit area than the heat capacity per unit area in the one conductor pattern. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant un substrat isolant (5) ayant des motifs conducteurs (52a, 52b) sur les deux côtés d'un matériau de base isolant (51), un élément semi-conducteur (1) monté sur l'un des motifs conducteurs, et une borne d'électrode (3) liée audit motif conducteur au moyen d'un matériau de brasage dur (10), la borne d'électrode ayant une capacité thermique par unité de surface supérieure à la capacité thermique par unité de surface dans ledit motif conducteur. 絶縁基材（５１）の両面に導体パターン（５２ａ，５２ｂ）を有する絶縁基板（５）と、一方の導体パターンに実装された半導体素子（１）と、一方の導体パターンに対して硬ろう材（１０）を介して接合した電極端子（３）と、を備えた半導体装置において、電極端子は、一方の導体パターンにおける単位面積当たりの熱容量よりも大きい単位面積当たりの熱容量を有する。