NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: AOSAKI, Ko, HIRANO, Akira, YAMADA, Kiho
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.12.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is an ultraviolet light emitting device having high quality and high reliability, which is prevented from deterioration in the electrical characteristics caused by a photochemical reaction due to use of a non-binding amorphous fluororesin and from decomposition of the amorphous fluororesin and the like, while also being prevented from separation of the amorphous fluororesin. A nitride semiconductor ultraviolet light emitting device 1 is provided with: a base 30; a nitride semiconductor ultraviolet light emitting element which is flip-chip mounted on the base 30; and an amorphous fluororesin 40 that is in direct contact with the nitride semiconductor ultraviolet light emitting element so as to cover the nitride semiconductor ultraviolet light emitting element. The nitride semiconductor ultraviolet light emitting element is provided with: a sapphire substrate 11; a plurality of AlGaN semiconductor layers 12 which are laminated on a main surface of the sapphire substrate 11; an n-electrode 13; and a p-electrode 14. The terminal functional group of the amorphous fluororesin 40 is a perfluoroalkyl group; and the amorphous fluororesin 40 enters into a recess that is formed in a lateral surface of the sapphire substrate 11. L'invention concerne un dispositif émetteur de lumière ultraviolette caractérisé par une haute qualité et une haute fiabilité, où une détérioration des caractéristiques électriques causée par une réaction photochimique est empêchée du fait de l'utilisation d'une résine fluorée amorphe non liante et de la décomposition de la résine fluorée amorphe, etc., le décollement de la résine fluorée amorphe étant également empêché. Un dispositif 1 émetteur de lumière ultraviolette avec semi-conducteur au nitrure comporte: une embase 30; un élément émetteur de lumière ultraviolette avec semi-conducteur au nitrure qui est monté en puce retournée sur l'embase 30; et une résine fluorée amorphe 40 qui est en contact direct avec l'élément émetteur de lumière ultraviolette avec semi-conducteur au nitrure de façon à recouvrir l'élément émetteur de lumière ultraviolette avec semi-conducteur au nitrure. L'élément émetteur de lumière ultraviolette avec semi-conducteur au nitrure comporte: un substrat 11 en saphir; une pluralité de couches semi-conductrices 12 à base d'AlGaN qui sont stratifiées sur une surface principale du substrat 11 en saphir; une électrode 13 de type n; et une électrode 14 de type p. Le groupe fonctionnel terminal de la résine fluorée amorphe 40 est un groupe perfluoroalkyle; et la résine fluorée amorphe 40 pénètre dans un évidement qui est formé dans une surface latérale du substrat 11 en saphir. 非結合性の非晶質フッ素樹脂の使用により光化学反応に起因する電気的特性の劣化及び非晶質フッ素樹脂の分解等を防止し、更に、当該非晶質フッ素樹脂の剥離を防止し、高品質、高信頼度の紫外線発光装置を提供する。窒化物半導体紫外線発光装置１は、基台３０と、基台３０上にフリップチップ実装された窒化物半導体紫外線発光素子と、窒化物半導体紫外線発光素子に直接接触して被覆する非晶質フッ素樹脂４０と、を備える。窒化物半導体紫外線発光素子は、サファイア基板１１と、サファイア基板１１の主面上に積層された複数のＡｌＧａＮ系半導体層１２と、ｎ電極１３と、ｐ電極１４と、を備える。非晶質フッ素樹脂４０の末端官能基はパーフルオロアルキル基であり、サファイア基板１１の側面に形成された凹部の内部に、非晶質フッ素樹脂４０が入り込んでいる。