RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION CONTAINING NAPHTHOL ARALKYL RESIN

• Main Authors: KARASAWA, Ryo, HASHIMOTO, Keisuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.10.2017
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

[Problem] To provide a resist underlayer film for lithography, which does not undergo intermixing with a resist layer, has high dry etching resistance and high heat resistance, exhibits a low mass decrease at high temperatures and exhibits even coverage of an uneven substrate; and a resist underlayer film-forming composition for forming the resist underlayer film. [Solution] A resist underlayer film-forming composition that contains a polymer containing a unit structure represented by formula (1). The unit structure represented by formula (1) is the unit structure represented by formula (2). Provided is a method for producing a semiconductor device, which includes a step of forming a resist underlayer film on a semiconductor substrate using the resist underlayer film-forming composition, a step of forming a hard mask on the resist underlayer film, a step of further forming a resist film on the hard mask, a step of forming a resist pattern by irradiating and developing the resist with light or an electron beam, a step of forming a pattern by etching the hard mask by means of the resist pattern, a step of forming a pattern by etching the underlayer film by means of the patterned hard mask, and a step of processing the semiconductor substrate by means of the patterned resist underlayer film. Le problème décrit par la présente invention est de fournir un film de sous-couche de réserve pour lithographie, qui ne subit pas de mélange avec une couche de réserve, a une résistance élevée à la gravure à sec et une résistance à la chaleur élevée, présente une faible diminution de masse à des températures élevées et présente une couverture uniforme d'un substrat irrégulier; et une composition filmogène de sous-couche de réserve pour former le film de sous-couche de réserve. La solution selon l'invention consiste en une composition filmogène de sous-couche de réserve qui contient un polymère contenant une structure unitaire représentée par la formule (1). La structure unitaire représentée par la formule (1) est la structure unitaire représentée par la formule (2). Un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur, qui comprend : une étape de formation d'un film de sous-couche de réserve sur un substrat semi-conducteur à l'aide de la composition de formation de film de sous-couche de réserve; une étape de formation d'un masque dur sur le film de sous-couche de réserve; une étape de formation ultérieure d'un film de réserve sur le masque dur; une étape de formation d'un motif de réserve par irradiation et développement de la réserve à l'aide de lujjière ou d'un faisceau d'électrons; une étape de formation d'un motif par gravure chimique du masque dur à l'aide du motif de réserve; une étape de formation d'un motif par gravure du film de sous-couche à l'aide du masque dur à motifs; et une étape de traitement du substrat semi-conducteur à l'aide du film de sous-couche de réserve à motifs. 【課題】　レジスト層とのインターミキシングが起こらず、高いドライエッチング耐性を有し、高い耐熱性を有し、高温での質量減少が少なく、平坦な段差基板被覆性を示すリソグラフィー用レジスト下層膜及び該レジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】　下記式（１）：の単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。式（１）の単位構造が式（２）：の単位構造である。半導体基板にレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、該レジスト下層膜の上にハードマスクを形成する工程、更に該ハードマスクの上にレジスト膜を形成する工程、該レジストに光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンにより該ハードマスクをエッチングしてパターンを形成する工程、該パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングしてパターンを形成する工程、及び該パターン化されたレジスト下層膜により該半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。