SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

• Main Author: IIDA Masahisa
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.10.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE; SEMICONDUCTOR DEVICES

In order to realize a power supply switching circuit using only a low-breakdown-voltage transistor and obviate the need for a special through-current-prevention control circuit, when a first power supply voltage VDD1 (= 0 V/3.3 V) is in an OFF state and a second power supply voltage VDD (= 0 V/1.8 V) is in an ON state, switching control circuits (2, 3) output a signal of a level from a ground voltage level to a second power supply voltage level, and when the first and second power supply voltages VDD1, VDD2 are both in an ON state, the switching control circuits (2, 3) output a signal of a level from the second power supply voltage level to the first power supply voltage level, whereby a PMOS transistor (P1) and an NMOS transistor (N1) are controlled to an ON state or an OFF state. Afin de réaliser un circuit de commutation d'alimentation électrique à l'aide uniquement d'un transistor à faible tension de claquage et d'éviter le besoin d'un circuit de commande de prévention de courant traversant spécial, lorsqu'une première tension d'alimentation VDD1 (= 0 V/3,3 V) est dans un état non passant et qu'une seconde tension d'alimentation VDD (= 0 V/1,8 V) est dans un état passant, des circuits de commande de commutation (2, 3) délivrent un signal d'un niveau d'un niveau de tension de masse à un second niveau de tension d'alimentation électrique, et lorsque les première et seconde tensions d'alimentation VDD1, VDD2 sont toutes les deux dans un état passant, les circuits de commande de commutation (2, 3) délivrent un signal d'un niveau du second niveau de tension d'alimentation électrique au premier niveau de tension d'alimentation électrique, un transistor PMOS (P1) et un transistor NMOS (N1) étant ainsi commandés vers un état passant ou vers un état non passant. 低耐圧トランジスタのみを用いて電源スイッチ回路を実現し、特別な貫通電流防止制御回路を不要とするように、スイッチ制御回路（２，３）は、第１の電源電圧ＶＤＤ１（＝０Ｖ／３．３Ｖ）がオフ状態でありかつ第２の電源電圧ＶＤＤ２（＝０Ｖ／１．８Ｖ）がオン状態であるときには接地電圧レベルから第２の電源電圧レベルまでの信号を、第１及び第２の電源電圧ＶＤＤ１，ＶＤＤ２がともにオン状態であるときには第２の電源電圧レベルから第１の電源電圧レベルまでの信号をそれぞれ出力することで、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）及びＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１）をオン状態又はオフ状態に制御する。