ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR ELEMENT, COMPOSITION FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM

An organic thin film transistor element which comprises an organic semiconductor layer containing an organic semiconductor compound, and wherein the content of one or more elements selected from the group consisting of Li, Na, P, K, Fe, Pd, Sn, B, Cl, Br and I in the organic semiconductor layer is 3...

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Main Author TAMAKUNI, Fumiko
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 12.10.2017
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Summary:An organic thin film transistor element which comprises an organic semiconductor layer containing an organic semiconductor compound, and wherein the content of one or more elements selected from the group consisting of Li, Na, P, K, Fe, Pd, Sn, B, Cl, Br and I in the organic semiconductor layer is 300-700 ppm; a composition for forming an organic semiconductor film, which is used for the formation of the organic semiconductor layer of this element; and an organic semiconductor film and a method for producing an organic semiconductor film, each of which uses this composition. L'invention concerne un élément de transistor à film mince organique qui comprend une couche semi-conductrice organique contenant un composé semi-conducteur organique, la teneur en un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe constitué par Li, Na, P, K, Fe, Pd, Sn, B, Cl, Br et I dans la couche semi-conductrice organique étant de 300 à 700 ppm; une composition pour la formation d'un film semi-conducteur organique, qui est utilisé pour former la couche semi-conductrice organique de cet élément; et un film semi-conducteur organique et un procédé de production d'un film semi-conducteur organique, utilisant chacun cette composition. 有機半導体化合物を含有してなる有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子であって、有機半導体層中、Li、Na、P、K、Fe、Pd、Sn、B、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる1種又は2種以上の原子の含有量が300~700ppmである有機薄膜トランジスタ素子;この素子の有機半導体層の形成に用いる有機半導体膜形成用組成物;この組成物を用いた有機半導体膜の製造方法及び有機半導体膜。
Bibliography:Application Number: WO2017JP13390