COLLOIDAL SILICA GROWTH INHIBITOR AND ASSOCIATED METHOD AND SYSTEM
A technique to inhibit the growth of colloidal silica deposits on surfaces treated in phosphoric acid is described. In one embodiment, the disclosed techniques include the use of a colloidal silica growth inhibitor as an additive to a phosphoric acid solution utilized for a silicon nitride etch. In...
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Format | Patent |
Language | English French |
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05.10.2017
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Summary: | A technique to inhibit the growth of colloidal silica deposits on surfaces treated in phosphoric acid is described. In one embodiment, the disclosed techniques include the use of a colloidal silica growth inhibitor as an additive to a phosphoric acid solution utilized for a silicon nitride etch. In some embodiments, the additive may have chemistry that may contain strong anionic groups. A method and apparatus is provided that monitors the silica concentration and/or the colloidal silica growth inhibitor concentration in the phosphoric acid solution during processing and adjusts the amount of those components as needed. Techniques are provided for a method and apparatus to control the additive concentration to be used as well as the silica concentration in the phosphoric acid solution. The techniques described herein provide a high selectivity etch of silicon nitride towards silicon dioxide without the growth of colloidal silica deposits on the exposed surfaces.
L'invention concerne une technique pour inhiber la croissance de dépôts de silice colloïdale sur des surfaces traitées dans de l'acide phosphorique. Dans un mode de réalisation, les techniques décrites comprennent l'utilisation d'un inhibiteur de croissance de silice colloïdale en tant qu'additif à une solution d'acide phosphorique utilisée pour une gravure de nitrure de silicium. Dans certains modes de réalisation, l'additif peut avoir une composition chimique qui peut contenir des groupes anioniques forts. L'invention concerne un procédé et un appareil qui surveillent la concentration en silice et/ou la concentration en inhibiteur de croissance de silice colloïdale dans la solution d'acide phosphorique pendant le traitement et ajustent la quantité de ces constituants selon les besoins. L'invention concerne également des techniques pour un procédé et un appareil pour réguler la concentration en additif à utiliser ainsi que la concentration en silice dans la solution d'acide phosphorique. Les techniques décrites dans la description permettent une gravure hautement sélective du nitrure de silicium vers le dioxyde de silicium sans la croissance de dépôts de silice colloïdale sur les surfaces apparentes. |
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Bibliography: | Application Number: WO2017US24123 |