THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY PANEL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR

• Main Authors: UTSUGI, Satoru, OKETANI Taimi, NODERA, Nobutake, MICHINAKA, Satoshi, KOBAYASHI, Kazuki, MATSUMOTO, Takao
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.10.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are: a thin film transistor enabling to improve optical stability; a display panel that is provided with the thin film transistor; and a method for manufacturing the thin film transistor. A thin film transistor of the present invention is provided with: a gate electrode film formed on the front surface of a substrate; an amorphous oxide semiconductor film formed on the upper side of the gate electrode film; first and second low-resistance oxide semiconductor films formed by having the amorphous oxide semiconductor film therebetween; a source electrode film formed on the first low-resistance oxide semiconductor film; and a drain electrode film formed on the second low-resistance oxide semiconductor film. The amorphous oxide semiconductor film is disposed in a region corresponding to the gate electrode film in a projection state wherein the gate electrode film and the amorphous oxide semiconductor film are projected on the front surface of the substrate. L'invention concerne : un transistor à couches minces permettant d'améliorer la stabilité optique ; un écran d'affichage qui est pourvu du transistor à couches minces ; et un procédé de fabrication du transistor à couches minces. Le transistor à couches minces de la présente invention comporte : un film d'électrode de grille formé sur la surface avant d'un substrat ; un film d'oxyde semi-conducteur amorphe formé sur le côté supérieur du film d'électrode de grille ; des premier et second films d'oxyde semi-conducteur à faible résistance formés avec le film d'oxyde semi-conducteur amorphe intercalé entre eux ; un film d'électrode de source formé sur le premier film d'oxyde semi-conducteur à faible résistance ; et un film d'électrode de drain formé sur le second film d'oxyde semi-conducteur à faible résistance. Le film d'oxyde semi-conducteur amorphe est disposé dans une région correspondant au film d'électrode de grille dans un état de projection dans lequel le film d'électrode de grille et le film d'oxyde semi-conducteur amorphe sont projetés sur la surface avant du substrat. 光安定性を向上させることができる薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタを備える表示パネル及び前記薄膜トランジスタの製造方法を提供する。　薄膜トランジスタは、基板の表面に形成されたゲート電極膜と、ゲート電極膜の上側に形成された非晶質酸化物半導体膜と、非晶質酸化物半導体膜を間にして形成された第１及び第２の低抵抗酸化物半導体膜と、第１の低抵抗酸化物半導体膜上に形成されたソース電極膜と、第２の低抵抗酸化物半導体膜上に形成されたドレイン電極膜とを備え、非晶質酸化物半導体膜は、ゲート電極膜及び非晶質酸化物半導体膜を基板の表面に射影した射影状態で、ゲート電極膜に対応する領域内に配置されている。