SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

• Main Authors: KOJIMA, Akihiro, AKIMOTO, Yosuke, TOMIZAWA, Hideyuki, SHIMADA, Miyoko, FURUYAMA, Hideto, SUGIZAKI, Yoshiaki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.09.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, a semiconductor layer has a first surface, a second surface that is provided on the reverse side of the first surface, and a third surface that is provided on the reverse side of the first surface so that there is a level difference between the second surface and the third surface. The semiconductor layer comprises a light emitting layer between the first surface and the third surface. A first electrode is in contact with the second surface. A second electrode is provided in the plane of the third surface. The second electrode contains silver, and has a contact part that is in contact with the third surface and an end part that is not in contact with the third surface. An insulating film is provided between the end part of the second electrode and the third surface. Consequently, the present invention provides a semiconductor light emitting device that has high light extraction efficiency. Selon la présente invention, une couche semi-conductrice a une première surface, une deuxième surface qui est disposée sur le côté arrière de la première surface, et une troisième surface qui est disposée sur le côté arrière de la première surface de telle sorte qu'il existe une différence de niveau entre la deuxième surface et la troisième surface. La couche semi-conductrice comprend une couche électroluminescente entre la première surface et la troisième surface. Une première électrode est en contact avec la deuxième surface. Une seconde électrode est disposée dans le plan de la troisième surface. La seconde électrode contient de l'argent, et a une partie de contact qui est en contact avec la troisième surface et une partie d'extrémité qui n'est pas en contact avec la troisième surface. Un film d'isolation est disposé entre la partie d'extrémité de la seconde électrode et la troisième surface. Par conséquent, la présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs qui a une efficacité d'extraction de lumière élevée. 半導体層は、第１面と、前記第１面の反対側に設けられた第２面と、前記第２面に対して段差を形成して前記第１面の反対側に設けられた第３面とをもつ。前記半導体層は前記第１面と前記第３面との間に発光層を含む。第１電極は前記第２面に接している。第２電極は前記第３面の面内に設けられている。前記第２電極は、前記第３面に接するコンタクト部と、前記第３面に接しない端部とを有し、銀を含む。絶縁膜は、前記第２電極の前記端部と、前記第３面との間に設けられている。高い光取り出し効率の半導体発光装置が提供される。