SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: REN, Yuxiong, OIKE, Go, SAWANO, Masakazu, KAGA, Koji, KATSUNO, Hiroshi, MIYABE, Kazuyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.09.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor light emitting element according to one embodiment of the present invention comprises a laminate. The laminate comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a light emitting layer arranged on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer of a second conductivity type arranged on the light emitting layer. The upper surface of the laminate has a first projection part that protrudes in a first direction that extends from the first semiconductor layer toward the light emitting layer. The length of the first projection part in a second direction that is perpendicular to the first direction decreases in the first direction. The first projection part has a first portion and a second portion. The first portion has a first lateral surface that is inclined to the first direction. The second portion is positioned below the first portion, and has a second lateral surface that is inclined to the first direction. The second lateral surface is curved so as to protrude downward. Selon un mode de réalisation de la présente invention, un élément semi-conducteur émettant de la lumière comprend un stratifié. Le stratifié comprend une première couche de semi-conducteur avec un premier type de conductivité, une couche émettant de la lumière agencée sur la première couche de semi-conducteur, et une deuxième couche de semi-conducteur avec un deuxième type de conductivité agencée sur la couche émettant de la lumière. La surface supérieure du stratifié comporte une première pièce en saillie qui dépasse dans une première direction qui s'étend de la première couche de semi-conducteur vers la couche émettant de la lumière. La longueur de la première pièce en saille dans une deuxième direction qui est perpendiculaire à la première direction diminue dans la première direction. La première pièce en saillie comprend une première partie et une deuxième partie. La première partie comporte une première surface latérale qui est inclinée dans la première direction. La deuxième partie est positionnée sous la première partie, et comporte une deuxième surface latérale qui est inclinée dans la première direction. La deuxième surface latérale est incurvée de façon à dépasser vers le bas. 実施形態に係る半導体発光素子は、積層体を有する。前記積層体は、第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形の第２半導体層と、を有する。前記積層体は、上面に前記第１半導体層から前記発光層に向かう第１方向に向かって突出する第１突出部を有する。前記第１突出部の前記第１方向に対して垂直な第２方向における長さは、前記第１方向に向かって、減少している。前記第１突出部は、第１部分と第２部分とを有する。前記第１部分は、前記第１方向に対して傾斜した第１側面を有する。前記第２部分は、前記第１部分の下に設けられ、前記第１方向に対して傾斜した第２側面を有する。前記第２側面は下方に向けて凸となるように湾曲している。