CLEANING SOLUTION AND CLEANING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OR DEVICE

• Main Authors: SHIH, Jen-Chieh, NAMIKI, Takumi, HARAGUCHI, Takayuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.09.2017
• Subjects: ANIMAL AND VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES AND WAXES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CANDLES; CHEMISTRY; DETERGENT COMPOSITIONS; DETERGENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FATTY ACIDS THEREFROM; METALLURGY; RECOVERY OF GLYCEROL; RESIN SOAPS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOAP OR SOAP-MAKING; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS

Provided are a cleaning solution and a cleaning method for a semiconductor substrate or device, which has particularly excellent cleaning performance for removing a residue or film comprising an inorganic substance that contains silicon atoms, and that has a high flash point. A cleaning solution for a semiconductor substrate or device, containing a water miscible organic solvent, a quaternary ammonium hydroxide, and water, wherein the water miscible organic solvent is a glycol ether based solvent or an aprotic polar solvent having a flash point of 60 °C or greater. A cleaning method including a step of using the cleaning solution to clean from the semiconductor substrate or the device a residue or film formed on the semiconductor substrate or adhered to the device, the residue or film comprising at least one item selected from the group consisting of a resist and an inorganic substance that contains silicon atoms. La présente invention porte sur une solution de nettoyage et un procédé de nettoyage pour substrat ou dispositif semi-conducteur, qui présente en particulier d'excellentes performances de nettoyage pour éliminer un résidu ou film comprenant une substance inorganique qui contient des atomes de silicium, et qui présente un point éclair élevé. Une solution de nettoyage pour un substrat ou dispositif semi-conducteur, contenant un solvant organique miscible dans l'eau, un hydroxyde d'ammonium quaternaire, et de l'eau, le solvant organique miscible dans l'eau étant un solvant à base d'éther de glycol ou un solvant polaire aprotique présentant un point éclair de 60 °C ou plus. La présente invention porte également sur un procédé de nettoyage comprenant une étape d'utilisation de la solution de nettoyage pour nettoyer du substrat semi-conducteur ou du dispositif un résidu ou film formé sur le substrat semi-conducteur ou collé sur le dispositif, le résidu ou film comprenant au moins un élément choisi dans le groupe consistant en un résist et une substance inorganique qui contient des atomes de silicium. 特にケイ素原子含有無機物からなる残渣物又は膜を除去する洗浄性能に優れ、引火点が高い、半導体基板又は装置用の浄剤液及び洗浄方法を提供すること。 水溶性有機溶媒、第四級アンモニウム水酸化物、及び水を含有する、半導体基板又は装置用の洗浄液であって、該水溶性有機溶媒は、引火点が６０℃以上である、グリコールエーテル系溶媒又は非プロトン性極性溶媒である、洗浄液。半導体基板に形成される若しくは装置に付着する残渣物又は膜であって、レジスト、及びケイ素原子含有無機物からなる群より選択される少なくとも１つからなる残渣物又は膜を、該洗浄液を用いて該半導体基板又は該装置から洗浄することを含む、洗浄方法。