SEMICONDUCTOR LASER LIGHT SOURCE

• Main Authors: YAMAMOTO, Shuhei, IKEDA, Kazutaka, FUTAMI, Mitsuaki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.08.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

The present invention is provided with: a semiconductor laser element 1 that outputs laser light from an output surface 11; a heat dissipating section 3 that dissipates heat of the semiconductor laser element 1; and a sub-mount 2 having a sub-mount substrate 23 wherein a protruding section 24 is provided on a flat board section 25, a first electrode layer 22 covering one surface of the sub-mount substrate 23, and a second electrode layer 26 covering the other surface of the sub-mount substrate 23. In the sub-mount 2, the first electrode layer 22 is bonded to the semiconductor laser element 1, and the second electrode layer 26 is bonded to the heat dissipating section 3, respectively using a solder, the protruding section 24 is provided from a predetermined position on the one surface of the sub-mount substrate 23 toward a sub-mount substrate end portion on the output surface 11 side, and in the first electrode layer 22, the thickness of a portion in contact with the protruding section 24 is less than the thickness of a portion in contact with the flat board section 25. The semiconductor laser element 1 is provided such that the output surface 11 is aligned with the end portion of the sub-mount 2, or is provided such that the output surface 11 is protruding to the outside by a predetermined value from the end portion of the sub-mount 2. La présente invention comprend : un élément laser à semi-conducteur (1) qui émet une lumière laser par une surface de sortie (11) ; une section de dissipation de chaleur (3) qui dissipe la chaleur de l'élément laser à semi-conducteur (1) ; et une embase (2) comprenant un substrat d'embase (23) dont une partie saillante (24) est disposée sur une partie panneau plat (25), une première couche d'électrode (22) recouvrant une surface du substrat d'embase (23), et une seconde couche d'électrode (26) recouvrant l'autre surface du substrat d'embase (23). Dans l'embase (2), la première couche d'électrode (22) est collée à l'élément laser à semi-conducteur, et la seconde couche d'électrode (26) est collée à la section de dissipation de chaleur (3), respectivement à l'aide d'une brasure, la partie saillante (24) est disposée à partir d'une position prédéterminée sur ladite surface du substrat d'embase (23) vers une partie d'extrémité de substrat d'embase du côté de la surface de sortie (11), et dans la première couche d'électrode (22), l'épaisseur d'une partie en contact avec la partie saillante (24) est inférieure à l'épaisseur d'une partie en contact avec la partie panneau plat (25). L'élément laser à semi-conducteur (1) est disposé de manière que la surface de sortie (11) soit alignée avec la partie d'extrémité de l'embase (2), ou est disposé de manière que la surface de sortie (11) dépasse à l'extérieur d'une valeur prédéterminée par rapport à la partie d'extrémité de l'embase (2). 　射出面１１からレーザ光を射出する半導体レーザ素子１と、半導体レーザ素子１の熱を放熱する放熱部３と、平板状の平板部２５に突起部２４が設けられたサブマウント基板２３、サブマウント基板２３の一方の面を覆う第一電極層２２、及びサブマウント基板２３の他方の面を覆う第二電極層２６を有するサブマウント２とを備え、サブマウント２は、第一電極層２２が半導体レーザ素子１に、及び第二電極層２６が放熱部３にそれぞれはんだによって接合されており、突起部２４は、サブマウント基板２３の一方の面における予め定められた位置から射出面１１側の端部にかけて設けられており、第一電極層２２は、突起部２４に接する部分の厚みが、平板部２５に接する部分の厚みより薄く、半導体レーザ素子１は、射出面１１がサブマウント２の端部に揃えて設けられている、又は射出面１１がサブマウント２の端部から予め定められた値だけ外側に突出して設けられている。