METHOD FOR MANUFACTURING SIC SINGLE CRYSTAL AND SIC SEED CRYSTAL

• Main Authors: DAIKOKU, Hironori, KUSUNOKI, Kazuhiko, SEKI, Kazuaki, KADO, Motohisa, DOI, Masayoshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.08.2017
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Provided is a method for manufacturing an SiC single crystal with a solution growth method, allowing for suppression of solvent inclusion, and an SiC seed crystal. The method for manufacturing an SiC single crystal according to the present embodiment is a manufacturing method based on a solution growth method for growing an SiC single crystal, by contacting a crystal growth face (80) of an SiC seed crystal (8) with an Si-C solution (7). The manufacturing method comprises a preparation step and a growth step. In the preparation step, a starting material is heated and melted to prepare the Si-C solution (7). In the growth step, the crystal growth face (80) is brought into contact with the Si-C solution (7), and a SiC single crystal is grown on the crystal growth face (80). The crystal growth face (80) includes a facet region (81), and the offset angle of the crystal growth face (80) is 0.5° or less. The center of gravity (82) of the facet region (81) is arranged within a distance of 0.40 r from the center of gravity (83) of the crystal growth face (80). The maximum length of a line segment connecting the center of gravity (83) and outer periphery (84) of the crystal growth face (80) is r. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un monocristal de SiC avec un procédé de croissance en solution, permettant la suppression de l'inclusion de solvant, et un cristal de germe de SiC. Le procédé de fabrication d'un monocristal de SiC selon le présent mode de réalisation est un procédé de fabrication basé sur un procédé de croissance en solution pour faire croître un monocristal de SiC, par mise en contact d'une face de croissance cristalline (80) d'un cristal de germe de SiC (8) avec une solution de Si-C (7). Le procédé de fabrication comprend une étape de préparation et une étape de croissance. Dans l'étape de préparation, un matériau de départ est chauffé et fondu pour préparer la solution de Si-C (7). Dans l'étape de croissance, la face de croissance cristalline (80) est mise en contact avec la solution de Si-C (7), et un monocristal de SiC est formé sur la face de croissance cristalline (80). La face de croissance cristalline (80) comprend une région de facette (81) et l'angle de décalage de la face croissance de cristal (80) est de 0,5° ou moins. Le centre de gravité (82) de la région de facette (81) est agencé à une distance d'au plus 0,40 r du centre de gravité (83) de la face de croissance cristalline (80). La longueur maximale d'un segment linéaire reliant le centre de gravité (83) et la périphérie externe (84) de la face de croissance cristalline (80) est r. 溶媒インクルージョンの発生を抑制できる、溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造方法及びＳｉＣ種結晶を提供する。本実施形態によるＳｉＣ単結晶の製造方法は、ＳｉＣ種結晶（８）の結晶成長面（８０）をＳｉ-Ｃ溶液（７）に接触させてＳｉＣ単結晶を成長させる溶液成長法による製造方法である。製造方法は、準備工程と、成長工程とを備える。準備工程では、原料を加熱して溶融し、Ｓｉ-Ｃ溶液（７）を準備する。成長工程では、結晶成長面（８０）をＳｉ-Ｃ溶液（７）に接触させ、結晶成長面（８０）上にＳｉＣ単結晶を成長させる。結晶成長面（８０）はファセット領域（８１）を含み、結晶成長面（８０）のオフセット角は０．５°以下である。ファセット領域（８１）の重心（８２）は、結晶成長面（８０）の重心（８３）から０．４０ｒ以内の距離に配置される。結晶成長面（８０）の重心（８３）と外周（８４）とを結ぶ線分のうち最長の長さをｒとする。