SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: OYAMA Kazuhiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.08.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device that uses a wide-gap semiconductor, wherein a gate insulating film (7) is formed of a material that has a barrier against a minority carrier of an n-type body layer (3) and does not have a barrier against a minority carrier of a p-type drift layer (2). This makes it possible, in a semiconductor device that uses a wide-gap semiconductor, to improve breaking capacity and ensure the reliability of the gate insulating film, as well as achieve a reduction in conduction loss. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui utilise un semi-conducteur à large bande interdite, un film (7) d'isolation de grille étant formé d'un matériau qui présente une barrière contre un porteur minoritaire d'une couche (3) de corps de type n et ne présente pas de barrière contre un porteur minoritaire d'une couche (2) de dérive de type p. Ceci permet, dans un dispositif à semi-conducteur utilisant un semi-conducteur à large bande interdite, d'améliorer le pouvoir de coupure et d'assurer la fiabilité du film d'isolation de grille, ainsi que de réaliser une réduction des pertes par conduction. ワイドギャプ半導体を用いた半導体装置において、ゲート絶縁膜（７）を、ｎ型ボディ層（３）の少数キャリアに対して障壁を持ち、ｐ型ドリフト層（２）の少数キャリアに対して障壁の無い材料によって構成する。これにより、ワイドギャプ半導体を用いた半導体装置において、遮断耐量の向上およびゲート絶縁膜の信頼性の確保を実現しつつ、導通損失の低減を図ることが可能となる。