SEMICONDUCTOR LAMINATE, LIGHT RECEIVING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LAMINATE

• Main Authors: AKITA Katsushi, ARIKATA Suguru, YOSHIMOTO Susumu, FUYUKI Takuma
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.08.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor laminate is provided with: a first semiconductor layer containing a III-V group compound semiconductor, the conductivity type of the first semiconductor layer being a first conductivity type; a quantum well light-receiving layer containing a III-V group compound semiconductor; a second semiconductor layer containing a III-V group compound semiconductor; and a third semiconductor layer containing a III-V group compound semiconductor, the conductivity type of the third semiconductor layer being a second conductivity type. The first semiconductor layer, the quantum well light-receiving layer, the second semiconductor layer, and the third semiconductor layer are laminated in the stated order. The impurity concentration for generating a second conductivity type carrier is 1×1014 cm-3 or greater and 1×1017 cm-3 or less in the second semiconductor layer. L'invention concerne un stratifié semi-conducteur comprenant : une première couche semi-conductrice contenant un semi-conducteur composé du groupe III-V, le type de conductivité de la première couche semi-conductrice étant un premier type de conductivité ; une couche de réception de lumière à puits quantique contenant un semi-conducteur composé du groupe III-V ; une deuxième couche semi-conductrice contenant un semi-conducteur composé du groupe III-V ; et une troisième couche semi-conductrice contenant un semi-conducteur composé du groupe III-V, le type de conductivité de la troisième couche semi-conductrice étant un second type de conductivité. La première couche semi-conductrice, la couche de réception de lumière à puits quantique, la deuxième couche semi-conductrice et la troisième couche semi-conductrice sont stratifiées dans l'ordre indiqué. La concentration d'impuretés pour générer des porteurs du second type de conductivité est supérieure ou égale à 1 × 1014 cm-3 et inférieure ou égale à 1 x 1017 cm-3 dans la deuxième couche semi-conductrice. 半導体積層体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含み、導電型が第１導電型である第１半導体層と、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含む量子井戸受光層と、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含む第２半導体層と、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含み、導電型が第２導電型である第３半導体層と、を備える。第１半導体層、量子井戸受光層、第２半導体層および第３半導体層は、この順に積層される。第２導電型のキャリアを生成する不純物の濃度は、第２半導体層において１×１０１４ｃｍ－３以上１×１０１７ｃｍ－３以下である。